12月17日,碳化硅(SiC)晶圆代工厂商X-fab推出了新一代XbloX平台XSICM03。该平台可推进SiC工艺技术在功率MOSFET的应用,并显著降低单元间距,从而在不影响可靠性的前提下增加了每片晶圆芯片数量并改善导通电阻。
source:X-fab
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X-fab推出新一代碳化硅MOS工艺平台 |
作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 12 月 18 日 16:47 | 分类 功率 |