最新文章

芯光光电推出全自动碳化硅激光剥离设备，破解大尺寸衬底量产瓶颈
作者 |发布日期 2026 年 07 月 21 日 15:49 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
在碳化硅衬底加工环节，传统线切割工艺长期面临材料损耗大、加工效率低、晶片表面损伤严重等痛点，已成为制约第三代半导体产业规模化发展的关键瓶颈之一。浪潮集团旗下芯光光电依托在激光加工领域多年的技术积累，推出新一代全自动碳化硅激光剥离设备，为国内衬底企业提供了一套高效、低损、全自动的国...  [详内文]

这家SiC晶圆厂，启动清算！
作者 |发布日期 2026 年 07 月 21 日 15:40 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
据韩国媒体《The Elec》报道，韩国唯一本土半导体硅晶圆制造商 SK Siltron已于近日正式启动其位于美国密歇根州贝县的碳化硅（SiC）晶圆生产子公司SK Siltron CSS的清算程序，整体清算工作预计将在今年（2026年）年内完成。此举是SK Siltron与斗山集...  [详内文]

三菱电机、罗姆、东芝加速推进功率半导体业务合并
作者 |发布日期 2026 年 07 月 21 日 15:23 | 分类 企业 , 功率
近期，媒体报道，日本三大半导体制造商三菱电机、罗姆与东芝正加紧磋商，力争在2026年9月前完成功率半导体业务的合并协议签署。三菱电机执行总裁漆间启对外披露了这一时间表，并表示三家企业的目标是组建一家占据全球电力器件市场11.3%份额的新实体，届时将仅次于英飞凌，位列全球第二。 这...  [详内文]

苏州纳米所在ISPSD 2026连发两项GaN功率器件突破
作者 |发布日期 2026 年 07 月 20 日 14:48 | 分类 氮化镓GaN
在日前举行的功率半导体领域顶级会议IEEE ISPSD 2026上，中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队连续发表了两项研究进展，分别针对高压GaN功率器件在工程应用中长期面临的两大瓶颈——栅极阈值电压漂移与导通电阻居高不下——给出了从物理机制到器件结构的系统性解决方案。 突破一：引...  [详内文]

又一新能源汽车采用SiC电驱
作者 |发布日期 2026 年 07 月 20 日 14:43 | 分类 碳化硅SiC
7月18日，领克汽车官方对外发布动力配置信息，即将于三季度上市的领克20车型，将搭载行业首创16合1后驱油冷碳化硅电驱系统，该套碳化硅电控方案由吉利控股旗下星驱科技自研打造，是同源“雷霆16合1智能电驱”技术首次下放至领克品牌量产车型。 整套电驱核心电控单元全部采用碳化硅功率器件...  [详内文]

德企获3.53亿欧元政府补贴，加码SiC外延晶圆
作者 |发布日期 2026 年 07 月 17 日 14:42 | 分类 碳化硅SiC
7月14日，欧盟委员会正式发布公告，批准总额6.59亿欧元德国国家补贴，支持四座欧洲首创半导体生产项目落地。其中德国中小企业Element 3-5 GmbH将获得3.53亿欧元直接资助，用于在北莱茵-威斯特法伦州巴斯韦勒（Baesweiler）建设碳化硅（SiC）外延晶圆生产工厂...  [详内文]

补齐8英寸SiC短板，平湖实验室实现沟槽型JFET全链条突破
作者 |发布日期 2026 年 07 月 17 日 14:39 | 分类 碳化硅SiC
在大功率、高压场景中，碳化硅功率器件正加速取代传统硅基器件，但沟槽型结构的制造难度长期制约着国产高端产品的量产进程。沟槽刻蚀均匀性与阈值电压的高度耦合，使得工艺窗口极为狭窄，良率难以提升，这一行业共性难题此前在国内始终缺乏系统性解决方案。近日，深圳平湖实验室第三代跃升研究团队在这...  [详内文]

年产60万片，这一8英寸SiC衬底项目加速投产
作者 |发布日期 2026 年 07 月 17 日 14:34 | 分类 碳化硅SiC
近日，晶盛机电在机构调研及投资者互动平台对外披露碳化硅衬底业务最新进展。 公司子公司浙江晶瑞电子材料有限公司正加快推进年产60万片8英寸SiC衬底项目投产工作，同时启动配套新一期基础设施建设，匹配下游新能源、AI、AR等市场长期增长需求。 该8英寸碳化硅衬底生产基地落地杭州湾上虞...  [详内文]

AI算力越猛，第三代半导体越火
作者 |发布日期 2026 年 07 月 16 日 16:36 | 分类 化合物半导体
随着人工智能服务器GPU功耗的持续攀升，数据中心正迎来供电架构的历史性变革。当前，单机柜功率已从过去数十千瓦跃升至数百千瓦级别，而业界普遍认为，兆瓦级机柜将在不久的将来成为现实。 这一趋势不仅直接拉动了GPU的出货需求，更从根本上改变了数据中心的能源管理逻辑——当系统功率密度急剧...  [详内文]