价格超24亿，Transphorm正式被收购

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 06 月 21 日 17:08 | 分类企业

今（21）日，瑞萨电子宣布，公司已完成对Transphorm的收购。据了解，今年1月11日，瑞萨电子与Transphorm共同宣布双方已达成最终收购协议，瑞萨电子将以约3.39亿美元（折合人民币24.6亿元）的价格收购Transphorm。 source：拍信网资料显示，... [详内文]

Transphorm与伟诠电子合作推出新款GaN器件

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 04 月 30 日 11:08 | 分类企业

近日，Transphorm与伟诠电子宣布推出两款新型系统级封装氮化镓（GaN）器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰GaN SiP一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN平台的系统级封装GaN产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 01 月 12 日 17:04 | 分类企业

1月11日，瑞萨电子与Transphorm共同宣布双方已达成最终收购协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约24.27亿人民币）。 source：瑞萨电子瑞萨电子表... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 01 日 11:14 | 分类企业

安世半导体推出首款SiC MOSFET 11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。 NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexpe... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 16 日 17:28 | 分类功率

Transphorm和Allegro MicroSystems于昨日（11/15）宣布合作，联合Transphorm的SuperGaN FET和Allegro的AHV85110隔离栅极驱动器，借此扩展GaN电源系统设计在高功率应用范围。据介绍，Transphorm的SuperG... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 10 日 11:31 | 分类企业

Transphorm近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备... [详内文]