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韩国首个1200V 氧化镓SBD问世

作者 |发布日期 2024 年 07 月 24 日 16:30 | 分类 功率
7月22日,韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布,公司已开发出可应用于高速开关的氧化镓(Ga2O3)肖特基势垒二极管(SBD)。 source:Siegtronics 据悉,氧化镓是一种宽带隙(WBG)材料,与碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)相比,具有更宽带隙和更高...  [详内文]