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解决“进口”依赖,突破sic晶体长厚的关键材料是什么?

作者 |发布日期 2022 年 12 月 12 日 17:27 | 分类 碳化硅SiC
“一次传质”工艺是采用一次传质的新热场,传质效率提高且基本恒定,降低再结晶影响(避免二次传质),有效降低了微管或其它关联晶体缺陷。平衡气相组分,隔断微量杂质,调节局部温度,减少碳包裹等物理性颗粒,在满足晶体可用的前提下,晶体厚度大幅增加,是解决晶体长厚的核心技术之一。 恒普科技在...  [详内文]