8英寸企业集结，国家标准《碳化硅外延片》半年后实施

作者 lin, lynn|发布日期 2024 年 05 月 15 日 17:52 | 分类碳化硅SiC

根据全国标准信息公共服务平台官网消息，国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于2024年4月25日正式对外发布，并将于2024年11月1日开始实施。该标准的起草单位囊括了业内多家具备8英寸碳化硅技术的企业，包括天岳先进、烁科晶体、天科合达、科友半导体、乾晶半导... [详内文]

总投资32.7亿，重投天科第三代半导体项目正式启用

作者 lin, lynn|发布日期 2024 年 02 月 28 日 17:19 | 分类碳化硅SiC

据“宝安日报”报道， 2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳市宝安区启用。据悉，该项目由深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称：重投天科）建设运营，总投资32.7亿元，重点布局6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线，是广东省和深圳市重点项目、深圳全球招商大会重点签约项目，预... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 10 月 11 日 14:39 | 分类企业

10月9日，中国电科第四十八研究所（下文简称“中电科48所”）官方公众号发文称，在连续数月实现月产20台套产能验证后，制造部汲取批产经验，及时调整装调节奏、优化生产管理，顺利完成20台套SiC外延设备的产出及发货。图片来源：拍信网正版图库据早先消息，在6英寸SiC外延机型方... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 30 日 18:35 | 分类企业

近日，SiC外延生长CVD设备供应商纳设智能成功研制出更大尺寸具有更多创新技术的8英寸碳化硅外延设备，此设备具备独特反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式、以及智能的控制系统，将更好的提高外延片的均匀性，降低外延缺陷及生产中的耗材成本。 sourse：纳设智能目前，6英寸碳化... [详内文]