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北京量子院基于单晶碳化硅薄膜刷新了国际记录

作者 |发布日期 2025 年 03 月 04 日 14:30 | 分类 产业 , 碳化硅SiC
据新华网最新消息,近日,我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜,研制出的光声量子存储器,以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》。 据悉,北京量子信息科学研究院(以下简称“量子院”)量子计算云平台的李铁夫...  [详内文]

晶圆级立方SiC单晶生长取得突破

作者 |发布日期 2024 年 02 月 22 日 17:51 | 分类 功率
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3...  [详内文]