据韩媒ETnews报道,3月26日,半导体设计公司Power Cube Semi宣布,已在韩国首次成功开发出2300V碳化硅(SiC)MOSFET,并将于明年初量产。
source:Power Cube Semi
据介绍,Power Cube Semi称,2300V SiC M...  [详内文]
韩国首款2300V SiC MOSFET问世 |
作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 04 月 03 日 14:27 | 分类 功率 |