作为化合物半导体材料，InP（磷化铟）半导体元件具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，在光通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、航天等领域具有广阔的应用前景。 目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射频元件，其在光子领域具...  [详内文]