相关资讯：GaN

涉及GaN，BAE Systems宣布和格芯达成合作
作者 |发布日期 2024 年 06 月 26 日 14:31 | 分类 功率
6月24日，BAE Systems宣布和GlobalFoundries（格芯）建立了合作伙伴关系，以加强美国国家安全项目的关键半导体供应。根据该协议，两家公司将就增加美国半导体创新和制造的长期战略进行合作，双方共同目标是推进美国国内芯片制造和封装生态系统，主要针对航空航天和国防系...  [详内文]

布局GaN，台达电子携手TI成立创新联合实验室
作者 |发布日期 2024 年 06 月 25 日 9:03 | 分类 企业
6月21日，台达电子宣布与全球半导体领导厂商德州仪器（TI）成立创新联合实验室。 台达表示，此举不仅深化双方长期合作关系，亦可凭借TI在数字控制及氮化镓（GaN）等半导体相关领域多年的丰富经验及创新技术，强化新一代电动车电源系统的功率密度和效能等优势，增强台达在电动车领域的核心竞...  [详内文]

启方半导体计划年内完成开发650V GaN HEMT
作者 |发布日期 2024 年 06 月 20 日 14:48 | 分类 企业
据外媒报道，6月19日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Key Foundry（启方半导体）宣布，公司已确认650伏氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的特性，正加大开发力度，预计年内完成开发。 因GaN具有高速开关和低电阻特性，它被称为下一代功率半导体，比现有的硅（S...  [详内文]

英诺赛科、CGD推出多款GaN新品
作者 |发布日期 2024 年 06 月 04 日 18:00 | 分类 企业
近期，GaN产业热度持续上涨，技术进展、新品发布、项目建设、融资并购、厂商合作等各类动态让人目不暇接，而在近日，英诺赛科、CGD两家厂商接连发布了多款GaN新品，在一定程度上显示了终端应用需求正在持续增长。 英诺赛科发布三款GaN驱动器产品 5月30日，据英诺赛科官微消息，其宣布...  [详内文]

TrendForce：SiC/GaN功率半导体市场格局与应用分析
作者 |发布日期 2024 年 05 月 31 日 8:54 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
经历下行周期的半导体产业在2024年迎来较为积极的增长态势，AI人工智能以及新能源汽车等驱动之下，半导体需求正逐步提升。 AI运行需要大量的计算资源以进行模型训练与推理，这一过程中要用到高性能计算芯片包括GPU、ASIC、FPGA等，还有HBM等存储器芯片。 另外，为满足更高阶的...  [详内文]

GaN厂商合作案+2
作者 |发布日期 2024 年 05 月 30 日 18:00 | 分类 企业
近期，GaN产业各类动态让人目不暇接，涉及技术进展、新品发布、项目建设、融资并购、厂商合作等方方面面，而在近日，GaN产业链又新增两起合作案例，这在一定程度上显示了GaN产业热度正在持续上涨。 图片来源：拍信网正版图库 CGD与ITRI签署GaN电源开发谅解备忘录 5月30日，...  [详内文]

国星光电：氮化镓器件产品已量产接单
作者 |发布日期 2024 年 05 月 29 日 18:00 | 分类 企业
国星光电主要从事电子元器件研发、制造与销售，主要产品分为LED外延片及芯片产品、LED封装及组件产品、集成电路封测产品及第三代化合物半导体封测产品等。 据悉，SiC和GaN等第三代半导体凭借高频率、高温稳定性和低损耗特性，在新能源汽车、光储充、工业电源等高压高功率应用领域不断开拓...  [详内文]

云镓发布650V/150A增强型GaN芯片
作者 |发布日期 2024 年 05 月 27 日 18:00 | 分类 企业
据悉，在半导体工艺制程中，芯片内阻越小，芯片面积越大，单芯片上缺点数越高，芯片的良率也会越差。对于10mΩ级别内阻的GaN芯片，制造难度较大。而云镓半导体近日在10mΩ内阻GaN芯片研发方面取得了突破。 图片来源：拍信网正版图库 近日，据云镓半导体官微披露，其自主研发了650V...  [详内文]

埃特曼半导体厦门GaN外延工厂开业
作者 |发布日期 2024 年 05 月 20 日 18:00 | 分类 企业
作为第三代半导体两大代表材料，SiC产业正在火热发展，频频传出各类利好消息；GaN产业热度也正在持续上涨中，围绕新品新技术、融资并购合作、项目建设等动作，不时有新动态披露。 图片来源：拍信网正版图库 在关注度较高的扩产项目方面，上个月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家...  [详内文]