第三代半导体氮化镓（GaN）材料具有禁带宽度大、电子饱和速度及电子迁移率高、击穿场强高等特性，在功率与射频领域有广阔的应用前景。硅基氮化镓在具备上述优点的同时兼顾了可低成本、大规模生产的优点，是第三代半导体发展的重要方向。 据中电材料官微消息，近日，电科材料下属国盛公司研发的硅基...  [详内文]