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机器人,氮化镓下一个风口?

作者 |发布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分类 产业 , 功率 , 氮化镓GaN
氮化镓(GaN)材料具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率、高击穿电压、化学稳定性等特点,以及较强的抗辐射、抗高温、抗高压能力,这些特性使得氮化镓在功率半导体器件、光电子器件以及射频电子器件等领域具有广阔的应用前景。 目前,功率氮化镓在消费电子领域应用已渐入佳境,并正在逐步向各类应用...  [详内文]

EPC宣布推出首款具有1mΩ导通电阻的GaN FET

作者 |发布日期 2024 年 02 月 29 日 16:42 | 分类 功率
2月27日,EPC推出采用紧凑型3 mm x 5 mm QFN封装的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET,为DC-DC转换、快速充电、电机驱动和太阳能MPPT提供更高的功率密度。 EPC称,这是市场上导通电阻最低的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,功率密度...  [详内文]