2月27日，EPC推出采用紧凑型3 mm x 5 mm QFN封装的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，为DC-DC转换、快速充电、电机驱动和太阳能MPPT提供更高的功率密度。
EPC称，这是市场上导通电阻最低的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，功率密度... [详内文]
EPC宣布推出首款具有1mΩ导通电阻的GaN FET |
| 作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 02 月 29 日 16:42 | 分类 功率 |