5月12日，杭州乾晶半导体有限公司（以下简称“乾晶半导体”）宣布，在大尺寸碳化硅单晶生长及其衬底制备方面取得突破：采用多段式电阻加热的物理气相传输（PVT）法生长了厚度达27mm的8英寸n型SiC单晶锭，并加工获得了8英寸SiC衬底片。 资料显示，乾晶半导体成立于2020年7月，...  [详内文]