英飞凌官宣，首批8英寸SiC产品问世

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 02 月 17 日 14:45 | 分类产业 , 功率 , 碳化硅SiC

2月14日，英飞凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圆工艺制造的碳化硅（SiC）产品。据悉，这些产品将在奥地利菲拉赫制造，为包括可再生能源、火车和电动汽车在内的高压应用提供一流的碳化硅功率技术。这一举措标志着英飞凌在碳化硅技术应用上迈出了重要一步，有望进一步提升相关领域的能... [详内文]

加速8英寸，Wolfspeed将关闭一座6英寸工厂

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 08 月 22 日 17:58 | 分类企业

8月21日，Wolfspeed公布了2024财年第四季度和全年营收，并计划关闭旗下达勒姆6英寸碳化硅晶圆厂。 2024财年第四季度，公司合并营收约为2.01亿美元，上年同期约为2.03亿美元，净亏损1.74亿美元；GAAP毛利率为1%，而去年同期为29%；非GAAP毛利率为5%，... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2024 年 05 月 15 日 17:52 | 分类碳化硅SiC

根据全国标准信息公共服务平台官网消息，国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于2024年4月25日正式对外发布，并将于2024年11月1日开始实施。该标准的起草单位囊括了业内多家具备8英寸碳化硅技术的企业，包括天岳先进、烁科晶体、天科合达、科友半导体、乾晶半导... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2024 年 04 月 12 日 10:15 | 分类碳化硅SiC

4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通过技术创新，在SiC键合衬底的研发上取得重要进展，在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。 8英寸N型SiC复合衬底（source：青禾晶元）青禾晶元介绍，对比6英寸SiC晶圆，8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍，芯片产出可增加80... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2024 年 04 月 10 日 17:22 | 分类产业

4月9日，胡润研究院发布《2024全球独角兽榜》，列出了全球成立于2000年之后，价值10亿美元以上的非上市公司。据了解，胡润研究院自2017年以来追踪记录独角兽企业，这是第六次发布全球独角兽榜。本次榜单估值计算的截止日期为2024年1月1日，在发布之前更新了估值的重大变化。 ... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2024 年 01 月 09 日 13:56 | 分类企业

1月5日，晶升股份公布投资者关系活动记录表，介绍了公司碳化硅（SiC）长晶设备的价格及研发进展。据介绍，晶升股份8英寸SiC长晶设备目前进展顺利，已通过了客户处的批量验证。价格方面，6英寸SiC长晶设备已大批量出货，价格趋于稳定，相对较低；8英寸SiC长晶设备根据不同设计和配置... [详内文]

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 05 月 15 日 17:30 | 分类碳化硅SiC

5月12日，杭州乾晶半导体有限公司（以下简称“乾晶半导体”）宣布，在大尺寸碳化硅单晶生长及其衬底制备方面取得突破：采用多段式电阻加热的物理气相传输（PVT）法生长了厚度达27mm的8英寸n型SiC单晶锭，并加工获得了8英寸SiC衬底片。资料显示，乾晶半导体成立于2020年7月，... [详内文]