1.25亿元大手笔！SiC大厂被收购

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 11 日 14:08 | 分类企业 , 功率 , 碳化硅SiC

据外媒最新消息，SK keyfoundry（SK启方半导体）在3月7日举行的董事会会议上宣布，已成功达成从SK集团收购其子公司SK Powertech98.59%股权的协议，交易金额高达250亿韩元（约1.25亿元人民币）。此举标志着SK hynix旗下的SK keyfoundr... [详内文]

士兰微8英寸SiC芯片产线封顶，碳化硅产业风云起

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 04 日 14:23 | 分类产业

市场最新消息显示，2月28日，士兰微电子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。据悉，士兰集宏项目总投资120亿元，分两期建设，总建筑面积达23.45万㎡，一期投资70亿元，预计2025年四季度初步通线、2026年一季度试生产，达产后年产... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 02 月 25 日 14:10 | 分类企业 , 功率 , 碳化硅SiC

西安产业投资基金近日宣布，西投控股对龙腾半导体股份有限公司进行追加投资，全力支持其8英寸功率半导体器件制造项目二期晶圆产线的建设进程。公开资料显示，龙腾半导体成立于2009年7月，是陕西省唯一一家集设计、研发、生产、测试于一体的功率半导体IDM企业。目前，龙腾半导体已成功攻... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 02 月 24 日 16:37 | 分类功率 , 碳化硅SiC

2月20日，欧盟委员会宣布批准德国政府对英飞凌位于德累斯顿的智能功率半导体晶圆厂授予9.2亿欧元（约69.85亿元人民币）的《欧洲芯片法案》补贴，用于其在德国德累斯顿建设新的半导体制造工厂。公开资料显示，英飞凌的德累斯顿新晶圆厂项目整体投资规模达50亿欧元，于2023年3月启动... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 02 月 17 日 14:45 | 分类产业 , 功率 , 碳化硅SiC

2月14日，英飞凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圆工艺制造的碳化硅（SiC）产品。据悉，这些产品将在奥地利菲拉赫制造，为包括可再生能源、火车和电动汽车在内的高压应用提供一流的碳化硅功率技术。这一举措标志着英飞凌在碳化硅技术应用上迈出了重要一步，有望进一步提升相关领域的能... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 08 月 22 日 17:58 | 分类企业

8月21日，Wolfspeed公布了2024财年第四季度和全年营收，并计划关闭旗下达勒姆6英寸碳化硅晶圆厂。 2024财年第四季度，公司合并营收约为2.01亿美元，上年同期约为2.03亿美元，净亏损1.74亿美元；GAAP毛利率为1%，而去年同期为29%；非GAAP毛利率为5%，... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2024 年 05 月 15 日 17:52 | 分类碳化硅SiC

根据全国标准信息公共服务平台官网消息，国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于2024年4月25日正式对外发布，并将于2024年11月1日开始实施。该标准的起草单位囊括了业内多家具备8英寸碳化硅技术的企业，包括天岳先进、烁科晶体、天科合达、科友半导体、乾晶半导... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2024 年 04 月 12 日 10:15 | 分类碳化硅SiC

4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通过技术创新，在SiC键合衬底的研发上取得重要进展，在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。 8英寸N型SiC复合衬底（source：青禾晶元）青禾晶元介绍，对比6英寸SiC晶圆，8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍，芯片产出可增加80... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2024 年 04 月 10 日 17:22 | 分类产业

4月9日，胡润研究院发布《2024全球独角兽榜》，列出了全球成立于2000年之后，价值10亿美元以上的非上市公司。据了解，胡润研究院自2017年以来追踪记录独角兽企业，这是第六次发布全球独角兽榜。本次榜单估值计算的截止日期为2024年1月1日，在发布之前更新了估值的重大变化。 ... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2024 年 01 月 09 日 13:56 | 分类企业

1月5日，晶升股份公布投资者关系活动记录表，介绍了公司碳化硅（SiC）长晶设备的价格及研发进展。据介绍，晶升股份8英寸SiC长晶设备目前进展顺利，已通过了客户处的批量验证。价格方面，6英寸SiC长晶设备已大批量出货，价格趋于稳定，相对较低；8英寸SiC长晶设备根据不同设计和配置... [详内文]