12月20日，据青禾晶元官微消息，青禾晶元近日与中科院微电子所高频高压中心及南京电子器件研究所合作，共同基于6英寸Emerald-SiC复合衬底，成功研发出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。
source：青禾晶元
据了解，目前，可用于MOSFET制造的无缺陷衬... [详内文]
青禾晶元基于Emerald-SiC复合衬底研发出1200V MOSFET |
| 作者 chen, zac|发布日期 2024 年 12 月 23 日 18:00 | 分类 企业 |
