镓仁半导体生长出直拉法2英寸N型氧化镓单晶

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 11 月 29 日 16:38 | 分类企业 , 功率

氧化镓作为一种新兴的半导体材料，受益于其优良的物理特性，成为了以碳化硅为代表的第三代半导体的潜在竞争者。目前，国内外相关企业正在加速推进氧化镓的产业化。近日，又有一家国内企业披露其在氧化镓领域取得新进展。 source：镓仁半导体 11月29日，据镓仁半导体官微消息，今年10月... [详内文]

镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分类企业

11月15日，据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延片的增长需求。 source：镓仁半导体据介绍，在二期工厂中，镓仁半导体自主... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 10 月 31 日 17:11 | 分类企业

氧化镓作为一种新兴的半导体材料，受益于其优良的物理特性，成为了以碳化硅为代表的第三代半导体的潜在竞争者。目前，国内外企业正在加速推进氧化镓的产业化。近期，镓仁半导体和富加镓业分别在氧化镓材料和功率器件领域有了新突破。镓仁半导体采用铸造法生长6英寸氧化镓单晶据镓仁半导体官微消息... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 23 日 16:33 | 分类企业

9月20日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）发布了公司首台氧化镓专用晶体生长设备。该设备不仅满足氧化镓晶体生长的各项需求，还集成了多项自主创新技术，是镓仁半导体实现氧化镓单晶材料技术闭环的新里程碑。 source：镓仁半导体据介绍，镓仁半导体此次推出的氧化镓专... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 08 月 08 日 17:27 | 分类企业

8月7日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）迎来了Pre-A轮融资及战略合作签约庆典。本轮投资由九智资本领投，普华资本共同投资。公司天使轮投资机构蓝驰创投、禹泉资本、毅岭资本均出席共同见证此次融资签约仪式。 source：镓仁半导体镓仁半导体表示，本轮融资资金的... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 07 月 16 日 16:53 | 分类企业

7月15日，据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体于今年7月成功制备出3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底，据称为目前国际上已报导的最大尺寸。 source：镓仁半导体据镓仁半导体介绍，在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先，（0... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分类企业

6月28日，据苏州纳米城官微消息，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称镓仁半导体）近日与苏州迈姆思半导体科技有限公司（以下简称迈姆思）于杭州签订战略合作协议。双方将在先进半导体氧化镓晶圆键合领域展开深度合作。图片来源：拍信网正版图库据悉，迈姆思将与镓仁半导体协作实现SiC和氧化... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分类功率

4月9日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布正式推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，在(010)衬底的研发生产方面再创新高。 source：镓仁半导体据介绍，氧化镓(β-Ga2O3) 具有禁带宽度大、击穿场强高、巴利加优值大等优点，使基于氧化镓的功率器... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 03 月 21 日 11:21 | 分类企业

3月20日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 04 月 04 日 15:05 | 分类产业

根据蓝驰创投官方消息，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称：镓仁半导体）近日正式完成数千万天使轮融资。该轮融资由蓝驰创投领投，禹泉资本跟投；融资将用于强化团队、加速氧化镓衬底材料新方法及中试线研发。据悉，氧化镓是一种无机化合物。作为第四代半导体的代表，氧化镓被视为“替代碳化硅和氮化... [详内文]