5月10日，连城数控官微消息显示，第二届第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会5月9日在江苏无锡举行。会上，连科半导体发布新一代8英寸SiC长晶炉，正式实现了大尺寸SiC衬底设备的全面供应。该设备具有结构设计紧凑、长晶工艺灵活、节约环保的特点。 source：连城数控 会上，连科...  [详内文]