近日，松山湖材料实验室第三代半导体团队与西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队，以及广东致能科技有限公司联合攻关，成功基于2~6英寸AlN单晶复合衬底制备了高性能GaNHEMTs晶圆。 得益于AlN单晶复合衬底的材料优势 (位错密度居于2×108 cm-2数量级...  [详内文]