英诺赛科进军高压高功率市场，最新成果发布！

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 05 月 11 日 17:29 | 分类氮化镓GaN

近日，海内外诸多SiC、GaN厂商发布新品新技术。据化合物半导体市场不完全统计，安森美、英飞凌、安世半导体、英诺赛科、纳微半导体、Transphorm、EPC、CGD等都发布了GaN或SiC最新开发成果，性能升级，应用范围也进一步拓宽。其中，英诺赛科便发布了联合研究成果，为进军高... [详内文]

三安、英诺赛科、纳微等云集，PCIM 2023亮点抢先看！

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 05 月 11 日 16:11 | 分类氮化镓GaN , 碳化硅SiC

5月9日，聚焦电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理的2023德国纽伦堡电力电子展PCIM Europe开幕（5/9-11），海内外SiC/GaN第三代半导体厂商汇聚一堂，以最新的技术和产品，向市场展示了SiC、GaN在电动汽车、数据中心、光伏储能、通信基站、工业自动化等高压高... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 23 日 17:05 | 分类氮化镓GaN

在消费类电子领域，氮化镓于手机、笔电快充中的应用已大量普及，大大满足了消费者对移动设备快速续航的需求。而在手机内部，电源开关依然采用传统的硅MOSFET，其体积与阻抗的限制，不仅占据了手机主板的大量空间，且在面对大功率快充时，硅MOSFET会产生较大的温升与效率损耗，影响快充的稳... [详内文]

作者 chen, janice|发布日期 2022 年 12 月 16 日 16:41 | 分类氮化镓GaN

据外媒报道，英诺赛科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出货量已突破1亿。据化合物半导体市场了解，英诺赛科的8英寸晶圆产线自2019年开始大规模生产，并于2021年成为全球首家实现8英寸硅基GaN量产的企业，产能足以支撑全球市场对GaN FETs的强劲需求。2022年，英诺赛... [详内文]