英诺赛科宣布发布新品GaN 功率 IC:
采用TO-247-4L 封装,集成栅极驱动和短路保护的 GaN 功率 IC,适用于高功率密度和高效率的大功率应用。
ISG612xTD SolidGaN IC
ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功...  [详内文]
英诺赛科重磅新品,大功率氮化镓来袭 |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 02 月 20 日 14:37 | 分类 功率 , 射频 , 氮化镓GaN |