193亿，罗姆和东芝携手生产SiC功率器件

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 08 日 17:27 | 分类功率

12月7日，根据外国媒体报道，为巩固自身在电动汽车零部件领域的地位，罗姆（ROHM）和东芝宣布将合作生产碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半导体器件，这一计划得到了日本政府的支持。 ROHM和东芝将分别对SiC和Si功率器件进行密集投资，两者将依据对方生产力优势进行互补，有效提高供... [详内文]

罗姆宣布明年在日本生产8英寸SiC衬底

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 07 日 17:28 | 分类功率

罗姆半导体（Rohm）株式会社社长松本功近日在2023年11月财报电话会议上宣布，将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸SiC衬底，主要供该公司内部使用，预计将于2024年开始投产。这将是罗姆首次在日本生产SiC衬底。据悉，宫崎第二工厂规划项目是罗姆近几年产能扩张计划的一部分... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 07 月 19 日 17:45 | 分类碳化硅SiC

据日经亚洲报道，日本芯片制造商罗姆公司将向私募股权公司Japan Industrial Partners（JIP）牵头的财团提供总计3000亿日元（约21.6亿美元）的资金，用于拟议收购东芝。罗姆在近期的董事会会议上决定，如果要约收购成功，将向JIP领导的投资基金投资1000亿... [详内文]

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 07 月 13 日 14:11 | 分类碳化硅SiC

近期，SiC行业热情持续高涨，市场又传来了不少与扩产相关的消息，其中三家分别是天岳先进、比亚迪及罗姆ROHM。天岳半导体6英寸SiC衬底产能将扩大至96万片/年天岳先进在上海临港扩建SiC项目，该项目由其全资子公司天岳半导体主导。5月消息，上海临港新片区管理委员会对外公示了... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 14 日 17:22 | 分类氮化镓GaN

近日，罗姆（ROHM）宣布确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。 Source：罗姆近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在... [详内文]