2月2日，淄博绿能芯创电子科技有限公司（以下简称淄博绿能芯创）官微发布消息称，西安A客户使用淄博绿能芯创6英寸碳化硅（SiC）1200V MOSFET代工制造平台，2种不同设计的1200V 20mΩ MOSFET首轮流片成功。
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据介绍，客户此次流片，使... [详内文]
绿能芯创1200V 20mΩ SiC MOSFET首轮流片成功 |
| 作者 chen, zac|发布日期 2024 年 02 月 04 日 18:00 | 分类 企业 |