相关资讯:第三代半导体

这家公司第三代半导体器件明年有望大量出货

作者 |发布日期 2023 年 09 月 18 日 17:48 | 分类 企业
9月15日,长电科技在互动平台表示,公司封装的第三代半导体器件,已经应用于汽车,工业储能等领域并进入产能扩充阶段。 预计2024年起相关产品营收规模有望大幅增长,并在未来几年显著成长,将有利促进第三代半导体器件在全球应用市场上的快速上量。 图片来源:拍信网正版图库 根据Tren...  [详内文]

总投资8亿、年产能120万套!这个第三代半导体项目获新进展

作者 |发布日期 2023 年 08 月 31 日 17:30 | 分类 功率
近日,位于无锡锡山经济技术开发区的芯动第三代半导体模组封测项目传来新进展。 锡山经济技术开发区消息显示,芯动第三代半导体模组封测项目主体封顶,计划10月土建竣工,12月底投产。 据悉,芯动第三代半导体模组封测项目总投资8亿元,用地27亩,建筑面积3.1万平方米,建设年产120万块...  [详内文]

这个化合物半导体生长设备厂获投资

作者 |发布日期 2023 年 08 月 15 日 17:35 | 分类 企业
今日,汇誉私募基金管理(湖州)有限公司(“汇誉投资”)在管基金完成对于楚赟科技(绍兴)有限公司(“楚赟科技”)的投资。 汇誉投资总经理胡寅斌表示,对楚赟科技的投资进一步完善了汇誉投资在第三代半导体材料领域的生态布局,特别是在SiC、GaN等领域实现了从设备、衬底到外延等环节的延伸...  [详内文]

直击深圳国际半导体展:30+三代半厂商亮相

作者 |发布日期 2023 年 08 月 04 日 16:21 | 分类 展会
5月16日,为期三天的SEMI-e第五届深圳国际半导体技术暨应用展览会在深圳国际会展中心(宝安新馆)盛大开幕。 本届展会以“芯机会 智未来〞为主题,涵盖6大特色展区,包括电子元器件、IC设计&芯片、晶圆制造及封装、半导体设备、半导体材料、第三代半导体,为各领域的行业人士...  [详内文]

【会议预告】集邦咨询:2023全球第三代半导体市场机遇与挑战

作者 |发布日期 2023 年 06 月 12 日 17:29 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
第三代半导体碳化硅和氮化镓被视为后摩尔时代材料创新的关键角色。近年来,汽车、光伏储能等应用带动碳化硅市场迅速扩大,氮化镓功率元件于消费电子市场率先放量,工业、汽车应用潜力巨大。 目前,全球能源技术革命已经开启,并向材料领域渗透,第三代半导体将在实现碳达峰、碳中和的过程中发挥怎样的...  [详内文]

33万片/年!这个第三代半导体衬底项目封顶

作者 |发布日期 2023 年 06 月 06 日 17:24 | 分类 碳化硅SiC
6月2日,青岛华芯晶元第三代半导体化合物晶片衬底项目封顶。 据悉,项目总投资7亿元,位于青岛高新区科海路以北、华贯路以西、茂源路以东,占地面积约50亩,建筑面积6200平方米。项目共有4座单体,包括1栋办公楼和3座厂房,预计今年年底前投入使用。 项目是青岛市重点工程,将建设半导体...  [详内文]

最新议程出炉!第三代半导体前沿趋势研讨会汇集行业大咖

作者 |发布日期 2023 年 06 月 02 日 17:16 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
2023年6月15日,TrendForce集邦咨询将在深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”。 目前,最新议程出炉!会议汇集华灿光电、英诺赛科、纳设智能、国星光电、天科合达、芯聚能、Wolfspeed、烁科晶体、AIXTRON、泰科天润、珠海镓未来、三菱电机、天域...  [详内文]

总投资18亿,6个第三代半导体项目签约北京

作者 |发布日期 2023 年 05 月 29 日 17:27 | 分类 碳化硅SiC
昨日,北京(国际)第三代半导体创新发展论坛举办。现场,国联万众碳化硅功率芯片二期、晶格领域液相法碳化硅衬底生产、特思迪减薄-抛光-CMP设备生产二期、铭镓半导体氧化镓衬底及外延片等6个签约落地,预计总投资近18亿元。 据报道,顺义区规划建设总面积约20万平米的三代半标厂,目前一期...  [详内文]

【会议预告】北京大学沈波教授:中国第三代半导体产业发展现状与机遇

作者 |发布日期 2023 年 05 月 10 日 17:55 | 分类 碳化硅SiC
宽禁带半导体也称第三代半导体,包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等,凭借其优异的性能,成为世界范围内的“兵家必争之地”。 近年来,我国也高度重视第三代半导体技术和产业研发。院校研发不断突破,企业产线加速量产,国家政策持续加码,产业进入成长期。 与机遇一同迎来的是挑战。如碳化硅...  [详内文]

2023集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会报名通道开启

作者 |发布日期 2023 年 04 月 21 日 14:19 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
关于第三代半导体的疑虑,这场研讨会都有答案。 第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,先天性能优越,是新能源汽车、5G、光伏等领域的“香饽饽”。然而,现实与理想之间尚有较大差距,我们对第三代半导体的发展仍存疑虑。 为进一步剖析第三代半导体的现...  [详内文]