SEMICON China 2025期间,中国电科第二研究所胡北辰博士代表电科装备作“大尺寸SiC衬底制备整线解决方案”的专题报告。
source:中国电科
胡北辰博士指出,SiC单晶生长与切磨抛加工是第三代半导体器件成本降低、良率提升的重要工艺环节。针对这一重点问题,2所以“...  [详内文]
电科装备介绍大尺寸SiC衬底制备整线解决方案 |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 04 月 03 日 18:06 | 分类 企业 , 碳化硅SiC |