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杭州第三代半导体相关项目迎新进展

作者 |发布日期 2025 年 03 月 18 日 17:04 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
杭州“临安发布”消息,爱矽科技园项目已完成40%的施工进度。计划今年年底,园区全部结顶竣工,争取明年5月投入使用。 该产业园于2024年5月开工,项目计划打造临安首个集芯片设计研发、先进封装封测、功率器件封装封测等多元功能于一体的集成电路产业园,占地118亩,建筑面积约20万平方...  [详内文]