相关资讯：氮化镓

投资3.45亿美元，MACOM扩建氮化镓晶圆厂
作者 |发布日期 2025 年 01 月 17 日 18:48 | 分类 功率
1月14日，美国射频厂商MACOM宣布拟投资3.45亿美元（折合人民币约25.28亿元），对其位于马萨诸塞州和北卡罗来纳州的半导体晶圆制造工厂进行全面升级。 具体来看，公司马萨诸塞州工厂将扩建洁净室，升级现有4英寸晶圆（涉及GaAs、GaN、硅和其他III-V材料）生产线，并引入...  [详内文]

聚焦氮化镓功率器件，京东方华灿与晶通半导体达成合作
作者 |发布日期 2025 年 01 月 15 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
随着全球新能源汽车、光储充、人形机器人、AI数据中心等新兴市场的蓬勃发展，高性能氮化镓（GaN）功率器件市场需求呈现出持续增长态势。在此背景下，为加速氮化镓功率器件的研发与量产，京东方华灿和晶通半导体于2025年1月8日签署了合作备忘录。 source：京东方华灿光电 京东方华...  [详内文]

总投资约65亿，香港首个8英寸碳化硅晶圆厂计划2026年投产
作者 |发布日期 2025 年 01 月 14 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
1月13日，据杰平方半导体官微消息，杰立方半导体（香港）有限公司（以下简称：杰立方半导体）1月10日与香港工业总会（FHKI）正式签署了合作备忘录（MOU）。双方将为杰立方半导体在香港打造首座晶圆厂提供支持，共同推动项目快速落地和量产。 source：杰平方半导体 据介绍，杰立...  [详内文]

2024年17家第三代半导体相关厂商IPO进展一览
作者 |发布日期 2025 年 01 月 13 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
IPO是企业获得融资、提升品牌知名度的重要手段之一。据集邦化合物半导体不完全统计，2024以来，共有17家化合物半导体相关企业IPO披露了最新进展。 2024年以来披露IPO动态的厂商不算少，但直到2025年1月初，只有英诺赛科和黄山谷捷2家企业完成了最终的上市。其中，英诺赛科...  [详内文]

Aehr获氮化镓功率器件企业订单
作者 |发布日期 2025 年 01 月 10 日 16:17 | 分类 企业
1月7日，半导体测试和老化设备的全球供应商Aehr Test Systems宣布，其FOX-XP?晶圆级测试和老化系统已获得一家顶级汽车半导体供应商的初始生产订单，该系统配备完全集成的FOX WaferPak? 对准器，用于客户旗下氮化镓（GaN）功率器件的生产测试。 Aehr集...  [详内文]

丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆
作者 |发布日期 2025 年 01 月 09 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
1月9日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co.,Ltd.）日前宣布成功开发出了用于垂直晶体管的8英寸氮化镓（GaN）单晶晶圆。这是丰田合成在此前制造6英寸氮化镓单晶晶圆基础上，又一次实现氮化镓单晶晶圆尺寸突破。 图片来源：拍信网正版图库 据悉，与使用采用硅...  [详内文]

珠海：重点发展碳化硅、氮化镓等衬底材料及外延片
作者 |发布日期 2025 年 01 月 07 日 18:00 | 分类 产业
1月2日，珠海市工业和信息化局公开征求《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案（2025—2027年）（征求意见稿）》意见，涉及到第三代半导体相关内容。 图片来源：拍信网正版图库 其中提到，重点发展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体衬底材料及外延片；...  [详内文]

从10大关键词看2024年第三代半导体风云变幻（国内篇）
作者 |发布日期 2025 年 01 月 02 日 18:00 | 分类 产业
岁末已至，新年的钟声即将敲响，集邦化合物半导体提炼出了2024年第三代半导体产业（国内市场）十大关键词，与大家一起回顾不平凡的2024年。 尽管第三代半导体国际大厂拥有先发优势，但近年来国内厂商奋起直追，已有部分头部企业实现了赶超国际先进水平，国内产业发展形势喜人。2024年，国...  [详内文]

碳化硅/氮化镓产业加速整合，2024年15起收并购一览
作者 |发布日期 2024 年 12 月 23 日 18:00 | 分类 产业
收并购是产业发展不可或缺的重要手段，对于企业而言也有一定的积极影响甚至是重要意义。目前，碳化硅/氮化镓产业已进入整合期，厂商收并购事件屡见不鲜。 据集邦化合物半导体不完全统计，2024年以来碳化硅/氮化镓领域共产生15起收并购动态，其中包括涉资数十亿元的大动作。这一系列收并购事件...  [详内文]

机器人，氮化镓下一个风口？
作者 |发布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分类 产业 , 功率 , 氮化镓GaN
氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率、高击穿电压、化学稳定性等特点，以及较强的抗辐射、抗高温、抗高压能力，这些特性使得氮化镓在功率半导体器件、光电子器件以及射频电子器件等领域具有广阔的应用前景。 目前，功率氮化镓在消费电子领域应用已渐入佳境，并正在逐步向各类应用...  [详内文]