相关资讯：氮化镓

AI、机器人、氮化镓等浪潮来袭，英飞凌四大新品亮剑
作者 |发布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飞凌在2025英飞凌消费、计算与通讯创新大会（ICIC 2025，以下同）上，就AI、机器人、边缘计算、氮化镓应用等话题展开了深度探讨，其首次在国内展示了英飞凌的两款突破性技术——300mm氮化镓功率半导体晶圆和20μm超薄硅功率晶圆，引起行业诸多关注。 英飞凌...  [详内文]

日本住友利用二英寸金刚石衬底制备出氮化镓器件
作者 |发布日期 2025 年 03 月 27 日 12:02 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
日本住友电气工业株式会社（Sumitomo Electric）近日宣布，其与大阪公立大学的研究团队在功率半导体领域取得重大突破——成功在直径两英寸的多晶金刚石（PCD）基板上研制出高性能氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管。 该创新成果通过革命性散热架构设计，将器件热阻降至传统硅基...  [详内文]

碳化硅和氮化镓的专利井喷，第三代半导体产业进阶
作者 |发布日期 2025 年 03 月 26 日 13:52 | 分类 企业
近日，碳化硅和氮化镓领域频传专利突破喜讯，多家企业和研究机构取得关键进展，为半导体行业的发展注入新动力。 这些专利成果聚焦于材料制备、器件制造以及应用拓展等核心环节，有望推动相关技术的产业化应用，提升产业竞争力。 1、材料制备革新 3 月 24 日，国家知识产权局信息显示，成都天...  [详内文]

全球首创！我国九峰山实验室在氮化镓材料新突破
作者 |发布日期 2025 年 03 月 24 日 14:17 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
据九峰山实验室3月22日消息，九峰山实验室的科研团队在全球首创性地实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备，这一成果不仅标志着我国在半导体材料领域的重大进步，更为未来诸多前沿技术的发展奠定了坚实基础。 1、技术突破：氮极性氮化镓材料的制备 ...  [详内文]

意法半导体与重庆邮电大学达成战略合作
作者 |发布日期 2025 年 03 月 21 日 14:47 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，意法半导体（ST）与重庆邮电大学正式签署产学研战略合作协议，开启深度合作新篇章。 据悉，此次签约是落实2023年11月意法半导体与重庆高新区《人才培养与联合创新国际合作备忘录》的重要举措，旨在服务重庆“33618”现代制造业集群建设战略，助力智能网联新能源汽车产业高质量发展...  [详内文]

三家企业联合，攻关8英寸外延片功率器件工艺
作者 |发布日期 2025 年 03 月 21 日 14:42 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
据深圳国资消息，3月18日，重投天科与鹏进高科、尚阳通科技正式签署合作协议，共同聚焦于8英寸外延片功率器件工艺的联合攻关。这一合作标志着国内半导体企业在关键材料技术领域的深度协同，旨在突破高端功率器件制造中的关键技术瓶颈。 source：深重投集团 8英寸外延片是半导体制造中的...  [详内文]

华润微旗下公司发力，氮化镓外延片项目将投产
作者 |发布日期 2025 年 03 月 20 日 16:06 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
海创集团官微消息，近日，润新微电子集团有限公司与大连海创集团有限公司下属建设发展公司正式达成战略合作，宣布入驻黄泥川智能制造产业园。 上述项目是第三代半导体氮化镓外延材料和电子元器件研发与产业化的重要基地总建筑面积6238.38平方米，同时配套有占地面积2966.6平方米的附属设...  [详内文]

安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利
作者 |发布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分类 氮化镓GaN
近日，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基化合物半导体激光器”的专利。 专利摘要显示，本发明涉及半导体激光元件技术领域，具体公开了一种氮化镓基化合物半导体激光器。该氮化镓基化合物半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上...  [详内文]

杭州第三代半导体相关项目迎新进展
作者 |发布日期 2025 年 03 月 18 日 17:04 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
杭州“临安发布”消息，爱矽科技园项目已完成40%的施工进度。计划今年年底，园区全部结顶竣工，争取明年5月投入使用。 该产业园于2024年5月开工，项目计划打造临安首个集芯片设计研发、先进封装封测、功率器件封装封测等多元功能于一体的集成电路产业园，占地118亩，建筑面积约20万平方...  [详内文]