昨（27）日，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。 图片来源：拍信网正版图库 01、中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶 氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O...  [详内文]

近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。 相关研究成果分别以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g...  [详内文]