中国第一，韩媒发布氧化镓有效专利持有量排名

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 27 日 17:18 | 分类氮化镓GaN

据韩媒报道，日前，韩国举办了“氧化镓功率半导体技术路线图研讨会”，会上公布了氧化镓专利申请情况。根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析，截至2021年9月共有1011件专利，其中中国拥有328件，... [详内文]

西安邮电大学成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 10 日 17:14 | 分类氮化镓GaN , 碳化硅SiC

近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。图片来源：西邮新闻网据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 01 日 8:57 | 分类氮化镓GaN

昨（27）日，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。图片来源：拍信网正版图库 01、中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 02 月 27 日 17:13 | 分类氮化镓GaN

近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果分别以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g... [详内文]