突破！4英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 18 日 17:27 | 分类功率

近日，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室使用铸造法成功制备了高质量4英寸氧化镓单晶，并完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破。铸造法是科创中心首席科学家杨德仁院士团队自主研发的、适用于氧化镓单晶生长的... [详内文]

氧化镓产业“渐入佳境”！

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 15 日 9:34 | 分类企业

三菱电机公司今天宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司，氧化镓晶圆是一个很有前途的候选者。三菱电机打算加快开发优质节能功率半导体，以支持全球脱碳。 Novel Crystal Technology 目前是世... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 01 日 17:15 | 分类氮化镓GaN

近日，北京镓和半导体有限公司（以下简称“镓和半导体”）正式宣布完成六千五百万元A轮融资，由凯石资本领投，海通证券、正为资本、盈添投资跟投。镓和半导体成立于2021年，是一家超宽禁带半导体材料氧化镓衬底及外延制造商，主营氧化镓单晶衬底及外延晶片、单晶及外延生长设备、高灵敏日盲紫外... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 07 月 31 日 17:15 | 分类碳化硅SiC

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 04 月 17 日 17:40 | 分类氮化镓GaN

日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）4月6日宣布，作为NEDO推动的“战略节能技术创新计划”的一部分，Novel Crystal Technology正在致力于β-Ga2O3肖特基势垒二极管的商业化开发。宣布已成功确认氧化镓 (β-Ga2O3) 肖特基势垒二极管 (SBD)... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 04 月 14 日 16:51 | 分类产业

4月14日，进化半导体官方正式宣布完成近亿元人民币融资，资金将主要用于持续研发投入和团队扩充。本轮融资由中合汽车基金和同创伟业领投，国发创投、深圳高新投、浙商创投、泰融资本等知名投资机构跟投，老股东祥峰投资继续加注。据悉，进化半导体成立于2021年5月，公司专注于以创新技术制... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 04 月 04 日 15:05 | 分类产业

根据蓝驰创投官方消息，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称：镓仁半导体）近日正式完成数千万天使轮融资。该轮融资由蓝驰创投领投，禹泉资本跟投；融资将用于强化团队、加速氧化镓衬底材料新方法及中试线研发。据悉，氧化镓是一种无机化合物。作为第四代半导体的代表，氧化镓被视为“替代碳化硅和氮化... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 27 日 17:18 | 分类氮化镓GaN

据韩媒报道，日前，韩国举办了“氧化镓功率半导体技术路线图研讨会”，会上公布了氧化镓专利申请情况。根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析，截至2021年9月共有1011件专利，其中中国拥有328件，... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 10 日 17:14 | 分类氮化镓GaN , 碳化硅SiC

近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。图片来源：西邮新闻网据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 01 日 8:57 | 分类氮化镓GaN

昨（27）日，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。图片来源：拍信网正版图库 01、中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O... [详内文]