7月15日，据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体于今年7月成功制备出3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底，据称为目前国际上已报导的最大尺寸。 source：镓仁半导体 据镓仁半导体介绍，在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先，（0...  [详内文]

6月28日，据苏州纳米城官微消息，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称镓仁半导体）近日与苏州迈姆思半导体科技有限公司（以下简称迈姆思）于杭州签订战略合作协议。双方将在先进半导体氧化镓晶圆键合领域展开深度合作。 图片来源：拍信网正版图库 据悉，迈姆思将与镓仁半导体协作实现SiC和氧化...  [详内文]

据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领先于国际同类产品标准。 图片来源：拍信网正版图库 铭镓半导体董事长陈政委表示，半绝缘型（010）铁掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际可做到25毫米...  [详内文]

3月26日，在三菱电机举办的主题为可持续发展倡议在线会议上，三菱电机宣布将对有望成为下一代半导体的氧化镓（Ga2O3）进行投资研发。与主要用于电动汽车（xEV）的碳化硅（SiC）功率半导体相比，三菱电机称这一布局是“为扩大更高电压的市场”。 三菱电机表示，2024年~2030年，...  [详内文]

3月20日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片...  [详内文]