聚焦氧化镓，镓仁半导体与迈姆思达成战略合作

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分类企业

6月28日，据苏州纳米城官微消息，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称镓仁半导体）近日与苏州迈姆思半导体科技有限公司（以下简称迈姆思）于杭州签订战略合作协议。双方将在先进半导体氧化镓晶圆键合领域展开深度合作。图片来源：拍信网正版图库据悉，迈姆思将与镓仁半导体协作实现SiC和氧化... [详内文]

铭镓半导体在氧化镓材料方面实现新突破

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 06 月 06 日 14:30 | 分类企业

据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领先于国际同类产品标准。图片来源：拍信网正版图库铭镓半导体董事长陈政委表示，半绝缘型（010）铁掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际可做到25毫米... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分类功率

4月9日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布正式推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，在(010)衬底的研发生产方面再创新高。 source：镓仁半导体据介绍，氧化镓(β-Ga2O3) 具有禁带宽度大、击穿场强高、巴利加优值大等优点，使基于氧化镓的功率器... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 04 月 01 日 17:50 | 分类企业

3月26日，在三菱电机举办的主题为可持续发展倡议在线会议上，三菱电机宣布将对有望成为下一代半导体的氧化镓（Ga2O3）进行投资研发。与主要用于电动汽车（xEV）的碳化硅（SiC）功率半导体相比，三菱电机称这一布局是“为扩大更高电压的市场”。三菱电机表示，2024年~2030年，... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 03 月 21 日 11:21 | 分类企业

3月20日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 02 月 04 日 18:10 | 分类企业

2月3日，睿悦投资官微发文称，睿悦投资与福建晶旭半导体科技有限公司（下文简称“晶旭半导体”）签署战略投资协议。据悉，此次睿悦投资作为晶旭半导体的独家战略投资人，对晶旭半导体战略投资亿元人民币，助力其实现年产75万片氧化镓外延片、12亿颗滤波器芯片的落成达产。公开资料显示，福... [详内文]

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 12 月 26 日 17:41 | 分类企业

近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓单晶。据了解，NCT成立于2015年6月，是一家专注研发和生产新一代半导体技术的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合资... [详内文]

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 10 月 26 日 17:30 | 分类企业

在近日召开的“第四届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会”上，北京镓和半导体有限公司（下文简称“镓和半导体”）推出多规格氧化镓单晶衬底并首发4英寸(100)面单晶衬底参数。在镓和半导体展台上，现场全面陈列出氧化镓系列的2英寸（100）（001）（-201）三种晶面单晶衬底，U... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 10 月 18 日 13:48 | 分类数据

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询针对2024年科技产业发展，整理科技产业重点趋势，化合物半导体以及其他内容请见下方：其中与化合物半导体相关的内容为下面这一项： 1、材料与元件技术并进，氧化镓商业化脚步渐近随着高压、高温、高频等应用场景的增加，氧化镓（Ga₂O₃）... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 18 日 17:27 | 分类功率

近日，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室使用铸造法成功制备了高质量4英寸氧化镓单晶，并完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破。铸造法是科创中心首席科学家杨德仁院士团队自主研发的、适用于氧化镓单晶生长的... [详内文]