亚洲氧化镓技术迎新进展

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 04 月 14 日 13:44 | 分类企业 , 氧化镓

从硅（Si）到砷化镓（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），半导体材料禁带宽度的拓宽始终驱动着性能边界的拓展。如今，氧化镓（Ga₂O₃）作为第四代超宽禁带半导体材料的代表，正以其颠覆性的物理特性与成本优势，掀起一场新的半导体革命。氧化镓熔点高达1900℃，不溶于水... [详内文]

全球首发！杭州镓仁发布首颗8英寸氧化镓单晶

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 06 日 15:05 | 分类产业 , 企业

3月5日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布，发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化镓单晶生长，并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。据悉，这一成果，标志着镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2025 年 01 月 31 日 17:59 | 分类功率

随着半导体技术的飞速发展，宽禁带半导体材料逐渐成为未来技术的关键，而氧化镓（Ga₂O₃）正是其中的佼佼者。凭借其优异的特性，氧化镓正在改变功率电子器件和光电探测领域的格局。氧化镓的定义氧化镓（Gallium Oxide，Ga₂O₃）是一种化学式为 Ga₂O₃ 的无机化合物，是镓... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 11 月 29 日 16:38 | 分类企业 , 功率

氧化镓作为一种新兴的半导体材料，受益于其优良的物理特性，成为了以碳化硅为代表的第三代半导体的潜在竞争者。目前，国内外相关企业正在加速推进氧化镓的产业化。近日，又有一家国内企业披露其在氧化镓领域取得新进展。 source：镓仁半导体 11月29日，据镓仁半导体官微消息，今年10月... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分类企业

11月15日，据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延片的增长需求。 source：镓仁半导体据介绍，在二期工厂中，镓仁半导体自主... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 10 月 31 日 17:11 | 分类企业

氧化镓作为一种新兴的半导体材料，受益于其优良的物理特性，成为了以碳化硅为代表的第三代半导体的潜在竞争者。目前，国内外企业正在加速推进氧化镓的产业化。近期，镓仁半导体和富加镓业分别在氧化镓材料和功率器件领域有了新突破。镓仁半导体采用铸造法生长6英寸氧化镓单晶据镓仁半导体官微消息... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 10 月 21 日 18:00 | 分类产业

10月18日，据外媒消息，日本东北大学近日宣布成立FOX公司，该公司以低成本大规模生产β-氧化镓（β-Ga2O3）晶片为目标。FOX采用了无贵金属单晶生长技术，旨在以比碳化硅更低的成本生产出低缺陷程度与硅相当的β-氧化镓衬底。 source：东北大学据悉，与碳化硅和氮化镓相比... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 23 日 16:33 | 分类企业

9月20日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）发布了公司首台氧化镓专用晶体生长设备。该设备不仅满足氧化镓晶体生长的各项需求，还集成了多项自主创新技术，是镓仁半导体实现氧化镓单晶材料技术闭环的新里程碑。 source：镓仁半导体据介绍，镓仁半导体此次推出的氧化镓专... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 09 月 18 日 18:00 | 分类企业

9月17日，据“龙岩发布”官微消息，福建晶旭半导体科技有限公司（以下简称：晶旭半导体）二期——基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目于2023年12月开工建设。目前，项目主体已经全部封顶，预计年底之前具备设备模拟的条件。图片来源：拍信网正版图库该项目总投资16.8... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 08 月 26 日 14:21 | 分类功率

新能源汽车大势之下，以碳化硅为代表的第三代半导体发展风生水起。与此同时，第四代半导体也在蓄势待发，其中，氧化镓（Ga2O3）基于其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料。鸿海入局氧化镓近期媒体报道，鸿海研究院半导体所与阳明交大电子所合作，双方研究团队在第四代... [详内文]