镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分类企业

11月15日，据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延片的增长需求。 source：镓仁半导体据介绍，在二期工厂中，镓仁半导体自主... [详内文]

加速氧化镓产业化，国内2家企业发力

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 10 月 31 日 17:11 | 分类企业

氧化镓作为一种新兴的半导体材料，受益于其优良的物理特性，成为了以碳化硅为代表的第三代半导体的潜在竞争者。目前，国内外企业正在加速推进氧化镓的产业化。近期，镓仁半导体和富加镓业分别在氧化镓材料和功率器件领域有了新突破。镓仁半导体采用铸造法生长6英寸氧化镓单晶据镓仁半导体官微消息... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 10 月 21 日 18:00 | 分类产业

10月18日，据外媒消息，日本东北大学近日宣布成立FOX公司，该公司以低成本大规模生产β-氧化镓（β-Ga2O3）晶片为目标。FOX采用了无贵金属单晶生长技术，旨在以比碳化硅更低的成本生产出低缺陷程度与硅相当的β-氧化镓衬底。 source：东北大学据悉，与碳化硅和氮化镓相比... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 23 日 16:33 | 分类企业

9月20日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）发布了公司首台氧化镓专用晶体生长设备。该设备不仅满足氧化镓晶体生长的各项需求，还集成了多项自主创新技术，是镓仁半导体实现氧化镓单晶材料技术闭环的新里程碑。 source：镓仁半导体据介绍，镓仁半导体此次推出的氧化镓专... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 09 月 18 日 18:00 | 分类企业

9月17日，据“龙岩发布”官微消息，福建晶旭半导体科技有限公司（以下简称：晶旭半导体）二期——基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目于2023年12月开工建设。目前，项目主体已经全部封顶，预计年底之前具备设备模拟的条件。图片来源：拍信网正版图库该项目总投资16.8... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 08 月 26 日 14:21 | 分类功率

新能源汽车大势之下，以碳化硅为代表的第三代半导体发展风生水起。与此同时，第四代半导体也在蓄势待发，其中，氧化镓（Ga2O3）基于其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料。鸿海入局氧化镓近期媒体报道，鸿海研究院半导体所与阳明交大电子所合作，双方研究团队在第四代... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 08 月 08 日 17:27 | 分类企业

8月7日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）迎来了Pre-A轮融资及战略合作签约庆典。本轮投资由九智资本领投，普华资本共同投资。公司天使轮投资机构蓝驰创投、禹泉资本、毅岭资本均出席共同见证此次融资签约仪式。 source：镓仁半导体镓仁半导体表示，本轮融资资金的... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 08 月 01 日 18:00 | 分类产业

作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓在大功率和高频率应用中具有优势，且导通电阻更低，损耗更小。目前，中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 07 月 24 日 16:30 | 分类功率

7月22日，韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布，公司已开发出可应用于高速开关的氧化镓（Ga2O3）肖特基势垒二极管（SBD）。 source：Siegtronics 据悉，氧化镓是一种宽带隙（WBG）材料，与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）相比，具有更宽带隙和更高... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 07 月 16 日 16:53 | 分类企业

7月15日，据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体于今年7月成功制备出3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底，据称为目前国际上已报导的最大尺寸。 source：镓仁半导体据镓仁半导体介绍，在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先，（0... [详内文]