作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓在大功率和高频率应用中具有优势，且导通电阻更低，损耗更小。 目前，中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方...  [详内文]