近日,国家知识产权局信息显示,安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基化合物半导体激光器”的专利。
专利摘要显示,本发明涉及半导体激光元件技术领域,具体公开了一种氮化镓基化合物半导体激光器。该氮化镓基化合物半导体激光器,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上...  [详内文]
安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利 |
作者 florafeng|发布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分类 氮化镓GaN |