近日,晶能、三菱电机、悉智科技相继发布了碳化硅功率器件/模块新品,其中包括沟槽栅SiC-MOSFET。
晶能发布太乙混合功率器件,采用SiC&IGBT并联设计
11月12日,据晶能微电子官微消息,由吉利汽车集团中央研究院新能源开发中心、技术规划中心、电子电器中心和零部件产...  [详内文]
含沟槽栅碳化硅MOSFET,晶能、三菱电机、悉智科技发布新品 |
作者 chen, zac|发布日期 2024 年 11 月 13 日 18:00 | 分类 产业 |