相关资讯：晶圆

印度开发出4英寸碳化硅晶圆工艺
作者 |发布日期 2024 年 11 月 13 日 15:56 | 分类 功率
据外媒报道，11月11日，印度国防研究与发展组织（DRDO）下属的固体物理实验室已成功开发出本土一种工艺，可以生长和制造直径为4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他们还已制造出功率高达150W的氮化镓（GaN）HEMT以及功率为40W的单片微波集成电路（MMIC），这些器件能够在...  [详内文]

国内实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
作者 |发布日期 2024 年 11 月 06 日 16:13 | 分类 企业
近日，松山湖材料实验室第三代半导体团队与西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队，以及广东致能科技有限公司联合攻关，成功基于2~6英寸AlN单晶复合衬底制备了高性能GaNHEMTs晶圆。 得益于AlN单晶复合衬底的材料优势 (位错密度居于2×108 cm-2数量级...  [详内文]

130um，全球最薄碳化硅晶圆片问世
作者 |发布日期 2024 年 07 月 12 日 17:20 | 分类 功率
江苏通用半导体有限公司（原：河南通用智能装备有限公司，下文简称“通用半导体”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研设备（碳化硅晶锭激光剥离设备）成功实现剥离出130um厚度超薄SiC晶 8英寸SiC晶锭激光全自动剥离设备（source：通用半导体） 资料显示，通用...  [详内文]

晶圆级立方SiC单晶生长取得突破
作者 |发布日期 2024 年 02 月 22 日 17:51 | 分类 功率
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3...  [详内文]

全球首个100mm的金刚石晶圆面世
作者 |发布日期 2023 年 11 月 08 日 14:56 | 分类 企业
近日，总部位于加利福尼亚州旧金山的Diamond Foundry Inc宣布制造出了世界上第一块直径为100毫米的单晶金刚石晶圆。 该公司计划提供金刚石基板作为改善热性能的途径，这反过来又可以改善人工智能计算和无线通信以及更小的电力电子设备。 该公司使用一种称为异质外延的工艺来沉...  [详内文]

德州仪器又一12吋晶圆厂动工
作者 |发布日期 2023 年 11 月 03 日 14:28 | 分类 企业
德州仪器(TI)今天表示，其位于美国犹他州李海的新12吋半导体晶圆制造厂破土动工。TI总裁兼首席执行官哈维夫·伊兰庆祝新晶圆厂LFAB2 建设迈出了第一步，该工厂将连接到该公司现有的12吋晶圆厂莱希。一旦完成，TI的两个犹他州晶圆厂每天将满负荷生产数千万个模拟和嵌入式处理芯片。 ...  [详内文]

投资20亿美元，世界先进将于新加坡建12英寸晶圆厂
作者 |发布日期 2023 年 10 月 24 日 13:43 | 分类 功率
据中国台湾经济日报报道，世界先进将投资约20亿美元在新加坡建立旗下首座12英寸晶圆厂，该厂生产的晶圆将用于制造车载芯片。若建厂计划顺利推行，这将会是世界先进近年来最大的一笔投资。 早在2019年，世界先进就以2.36亿美元收购格芯在新加坡建造的一座8英寸晶圆代工厂，用于各式传感器...  [详内文]

三菱电机加速布局，首条12英寸产线安装调试完成
作者 |发布日期 2023 年 09 月 06 日 17:11 | 分类 功率
根据外媒报道，三菱电机已经在其位于日本福山的工厂完成了第一条300mm晶圆产线的设备安装调试，样品生产和测试验证了生产线上加工的功率半导体芯片达到了所需的性能水平。 报道称，三菱电机计划于2025财年开始量产300mm 功率硅晶圆生产线。目标是到2026财年将其硅功率半导体晶圆的...  [详内文]

捷捷微电拟上调6英寸晶圆及器件封测生产线总投资额
作者 |发布日期 2023 年 02 月 22 日 16:58 | 分类 氮化镓GaN
2月22日，捷捷微电发布关于全资子公司功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目变更投资总额的公告。 据介绍，捷捷微电于2021年7月召开的董事会上审议通过了《关于对外投资的议案》，同意公司全资子公司捷捷半导体建设“功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目”，总投资5.1亿...  [详内文]