上海新微半导体有限公司（下文简称“新微半导体”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化镓（GaAs）晶圆材料的增强/耗尽型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工艺平台(简称“PTA25工艺平台”)开发完成。 该平台凭借高电子迁移率、高增益、高功率和超低...  [详内文]