英飞凌扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列
近日，英飞凌宣布采用新的行业标准封装，以扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列。
该款经过验证的62mm器件采用半桥拓扑设计，并基于最近推出的先进M1H碳化硅（SiC）M... [详内文]
英飞凌、巨子半导体推出1200V MOSFET新品 |
| 作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 28 日 14:40 | 分类 企业 |