近日,Nexperia(安世半导体)正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色,采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑,尺寸仅为14 mm ×18.5 mm,巧...  [详内文]
安世半导体推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET |
作者 florafeng|发布日期 2025 年 03 月 20 日 10:52 | 分类 碳化硅SiC |