10月18日，凌锐半导体（上海）有限公司（下文简称“凌锐半导体”）官方公众号发文宣布，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。
据介绍，该产品具备开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动的特点，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
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SiC企业凌锐半导体推出新一代1200V SiC MOS |
| 作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 10 月 20 日 18:48 | 分类 功率 |
