据九峰山实验室3月22日消息，九峰山实验室的科研团队在全球首创性地实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备，这一成果不仅标志着我国在半导体材料领域的重大进步，更为未来诸多前沿技术的发展奠定了坚实基础。
1、技术突破：氮极性氮化镓材料的制备
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全球首创！我国九峰山实验室在氮化镓材料新突破 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 24 日 14:17 | 分类 企业 , 氮化镓GaN |
