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成本可降低10%,日本推碳化硅衬底新技术

作者 |发布日期 2024 年 07 月 01 日 14:20 | 分类 功率
据日经中文网报道,日本中央硝子(Central Glass)开发出了用于功率半导体材料“碳化硅(SiC)”衬底的新制造技术。 据介绍,中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长(升华法)的传统技术相比,液相法在增大衬底...  [详内文]