东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 03 月 11 日 11:01 | 分类企业

3月6日，东芝电子元件及存储装置株式会社（下文简称“东芝”）宣布，公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅（SiC）1700 V、漏极电流（DC）额定值为250 A的SiC MOSFET模块“MG250V2YMS3”，并扩大了产品阵容。 source：东芝据介绍，新产品M... [详内文]

193亿，罗姆和东芝携手生产SiC功率器件

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 08 日 17:27 | 分类功率

12月7日，根据外国媒体报道，为巩固自身在电动汽车零部件领域的地位，罗姆（ROHM）和东芝宣布将合作生产碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半导体器件，这一计划得到了日本政府的支持。 ROHM和东芝将分别对SiC和Si功率器件进行密集投资，两者将依据对方生产力优势进行互补，有效提高供... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 10 月 23 日 14:32 | 分类企业

除了每日推送有关化合物半导体市场的热点文章，我们也整理了上周行业内的一些看点作为拓展：东芝推出 SiC MOSFET 新品东芝推出的第3代TWxxNxxxC系列，共有10款产品，包括5款1200V和5款650V产品。 source：东芝半导体这些新一代MOSFET内置了与... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 07 月 14 日 17:13 | 分类碳化硅SiC

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。新... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2022 年 02 月 16 日 10:24 | 分类产业

日本东芝（Toshiba）2月7日宣布新的分拆计划，去年11月原本打算依照集团整体业务内容进行一拆三，在这回改为一拆二，只有半导体相关的“装置业务”将分拆、独立，保留发电设备相关的“基础事业服务”。东芝2021年11月宣布的分拆计划，原本打算将装置业务和基础事业服务分拆出去，但... [详内文]