据《重庆新闻联播》报道，在西部（重庆）科学城，总投资约300亿元的三安意法半导体项目进入收尾阶段，其中，8英寸SiC衬底厂预计本月投产，比原计划提前2个月。 据了解，三安意法半导体项目包含建设一座8英寸SiC晶圆（芯片）厂和配套的一座8英寸SiC衬底厂，预计总投资约300亿元人民...  [详内文]