Tag Archives: 英诺赛科

损耗降低50%，英诺赛科发布全链路InnoGaN数据中心方案
作者 |发布日期 2023 年 10 月 08 日 17:45 | 分类 企业
10月8日，英诺赛科官方公众号发文表称，数据中心采用全链路GaN设计方案，能够提高能源转换效率，将系统损耗降低50%。 据悉，英诺赛科从前端PSU电源到主板DC/DC模块，以及芯片的直接供电方面，都提供了GaN方案。 前端PSU电源方面，英诺赛科推出 2kW PSU参考设计，采用...  [详内文]

英诺赛科：GaN出货量突破3亿颗，上半年销售额增长500%！
作者 |发布日期 2023 年 08 月 16 日 17:32 | 分类 氮化镓GaN
今日，英诺赛科官方宣布，截至8月，8英寸硅基GaN芯片出货量已成功突破3亿颗，目前，InnoGaN产品已在消费类（快充、手机、LED），汽车激光雷达，数据中心，新能源与储能领域的多个应用中大批量交付，帮助客户实现小体积、高能效、低损耗的产品设计。 出货量涨势强劲，上半年销售额增...  [详内文]

英诺赛科100V GaN再添新品
作者 |发布日期 2023 年 08 月 09 日 17:40 | 分类 功率
英诺赛科宣布推出两款 100V 新品氮化镓功率器件，旨在提高电源功率转换效率，降低系统损耗与成本。产品可应用于太阳能光伏逆变、光伏优化器、高频DC-DC转换器及电机驱动等场景。 英诺赛科 此前，英诺赛科已相继发布了 INN100W032A、INN100W027A、INN100W...  [详内文]

直击2023亚洲充电展：英诺赛科、纳微等17家三代半龙头聚集
作者 |发布日期 2023 年 08 月 04 日 15:57 | 分类 展会
3月14日，为期三天的2023（春季）亚洲充电展在深圳正式开幕。现场展示和发布了数千款新品，覆盖电源芯片、功率器件、被动器件、新能源产品、消费类电源、智能化设备等领域。 据TrendForce集邦咨询化合物半导体市场了解到，此次展会，英诺赛科、基本半导体、纳微半导体、芯塔电子、P...  [详内文]

英诺赛科与思锐智能签订ALD设备采购协议
作者 |发布日期 2023 年 07 月 26 日 17:45 | 分类 氮化镓GaN
今日，思锐智能官微发布消息，英诺赛科与公司签订了一项新的ALD设备的采购协议，根据协议，思锐智能将为英诺赛科供应用于GaN晶圆制造前道工艺的Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备，支持其8英寸硅基GaN晶圆产线的扩充。 01、英诺赛科深化GaN布局 英诺赛科8英寸晶圆产线...  [详内文]

英诺赛科进军高压高功率市场，最新成果发布！
作者 |发布日期 2023 年 05 月 11 日 17:29 | 分类 氮化镓GaN
近日，海内外诸多SiC、GaN厂商发布新品新技术。据化合物半导体市场不完全统计，安森美、英飞凌、安世半导体、英诺赛科、纳微半导体、Transphorm、EPC、CGD等都发布了GaN或SiC最新开发成果，性能升级，应用范围也进一步拓宽。其中，英诺赛科便发布了联合研究成果，为进军高...  [详内文]

三安、英诺赛科、纳微等云集，PCIM 2023亮点抢先看！
作者 |发布日期 2023 年 05 月 11 日 16:11 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
5月9日，聚焦电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理的2023德国纽伦堡电力电子展PCIM Europe开幕（5/9-11），海内外SiC/GaN第三代半导体厂商汇聚一堂，以最新的技术和产品，向市场展示了SiC、GaN在电动汽车、数据中心、光伏储能、通信基站、工业自动化等高压高...  [详内文]

英诺赛科发布两款40V VGaN新品，均采用WLCSP封装
作者 |发布日期 2023 年 03 月 23 日 17:05 | 分类 氮化镓GaN
在消费类电子领域，氮化镓于手机、笔电快充中的应用已大量普及，大大满足了消费者对移动设备快速续航的需求。而在手机内部，电源开关依然采用传统的硅MOSFET，其体积与阻抗的限制，不仅占据了手机主板的大量空间，且在面对大功率快充时，硅MOSFET会产生较大的温升与效率损耗，影响快充的稳...  [详内文]