文章分类： 功率

镓仁半导体推出2英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 10 日 13:51 |
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4月9日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布正式推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，在(010)衬底的研发生产方面再创新高。 source：镓仁半导体 据介绍，氧化镓(β-Ga2O3) 具有禁带宽度大、击穿场强高、巴利加优值大等优点，使基于氧化镓的功率器...  [详内文]

韩国釜山将新建2座8英寸化合物半导体工厂

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:37 |
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4月6日，釜山市政府宣布投资400亿韩元（折合人民币约2.14亿元），在东南放射科学产业园区增建采用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等新一代材料的8英寸化合物功率半导体生产设施，该项目已获国家及市级基金资助。 source：拍信网 为构建生产下一代功率半导体的生态系统，釜山市...  [详内文]

韩国首款2300V SiC MOSFET问世

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 03 日 14:27 |
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据韩媒ETnews报道，3月26日，半导体设计公司Power Cube Semi宣布，已在韩国首次成功开发出2300V碳化硅（SiC）MOSFET，并将于明年初量产。 source：Power Cube Semi 据介绍，Power Cube Semi称，2300V SiC M...  [详内文]

联合多家头部企业，上海打造8英寸碳化硅产业链

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 29 日 17:50 |
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3月29日，据媒体报道，“聚势芯港、引临未来”2024上海全球投资促进大会暨临港新片区宽禁带半导体产业链投资机遇分享会在世界会客厅举行。据介绍，本次活动也是上海首次举办的宽禁带半导体推介活动。 会上，上海市经信委副主任张宏韬、临港新片区党工委副书记吴晓华共同为“宽禁带半导体产业基...  [详内文]

4Q23搭载SiC功率芯片逆变器市占率达15%

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:48 |
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根据TrendForce集邦咨询全球电动车逆变器市场数据显示，2023年第四季全球电动车逆变器装机量达714万套，相较2023年第三季639万套，季增约12%，主因是去年第四季电动车季单季销量较第三季成长。其中，逆变器市场主要的推动力来自于纯电动车（BEV）。 TrendFor...  [详内文]

中国SiC外延片市场，繁荣与挑战并存

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:43 |
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随着电动汽车和新能源需求的持续扩大，碳化硅功率半导体元件在各领域的渗透率呈现持续攀升之势。对于碳化硅外延片环节，过去市场长期由Resonac、Wolfspeed等国际大厂主导，中国厂商瀚天天成与天域半导体历经10余年积累，终随新能源浪潮迎来业务高速增长期，近年来全球市场份额得以迅...  [详内文]

发展汽车、工业领域，瑞能半导通过IPO辅导验收

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 19 日 17:24 |
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| 分类: 功率
根据中国证券监督管理委员会官网资料，瑞能半导体科技股份有限公司（以下简称：瑞能半导）已通过辅导验收。 事实上，这并非瑞能半导首次申请上市。2020年8月，瑞能半导于上交所上市的申请获得受理，但其最终于2021年6月申请撤回申请文件。 2023年7月，瑞能半导重整旗鼓，与西南证券...  [详内文]

英飞凌、罗姆产品新进展

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 07 日 10:28 |
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| 分类: 功率
近日，英飞凌和罗姆两大SiC龙头在产品端公布了新进展。 英飞凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日，英飞凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术产品，CoolSiC MOSFET G2系列产品。 source：英飞凌 英飞凌表示，新一代C...  [详内文]