近日,广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关,通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片,基于广州第三代半导体创新中心中试平台,成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs...  [详内文]
首个1700V GaN HEMT器件发布 |
作者 huang, Mia | 发布日期: 2024 年 01 月 24 日 17:17 | | 分类: 功率 |