文章分类： 功率

国内沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术有新突破

作者 | 发布日期: 2024 年 09 月 02 日 17:21 |
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据南京发布近日消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时4年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。 source:江宁发布 公开资料显示，碳化硅是第三代半导体材料的主要代...  [详内文]

碳化硅争夺战：光伏龙头们已入局

作者 | 发布日期: 2024 年 08 月 29 日 17:29 |
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目前，碳化硅产业发展形势喜人，跨界布局碳化硅业务的玩家众多，包括长城汽车、吉利汽车等车企以及三安光电、博蓝特等LED厂商，除车企和LED厂商外，部分光伏厂商已成为跨界布局碳化硅的重要力量。 光伏龙头跨界布局碳化硅 据集邦化合物半导体观察，通威集团、合盛硅业、弘元绿能、高测股份、捷...  [详内文]

第四代半导体氧化镓蓄势待发

作者 | 发布日期: 2024 年 08 月 26 日 14:21 |
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新能源汽车大势之下，以碳化硅为代表的第三代半导体发展风生水起。与此同时，第四代半导体也在蓄势待发，其中，氧化镓（Ga2O3）基于其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料。 鸿海入局氧化镓 近期媒体报道，鸿海研究院半导体所与阳明交大电子所合作，双方研究团队在第四代...  [详内文]

国内首套碳化硅晶锭激光剥离设备投产

作者 | 发布日期: 2024 年 08 月 23 日 18:10 |
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据新闻晨报报道，8月21日，从江苏通用半导体有限公司（下文简称通用半导体）传来消息，由该公司自主研发的国内首套的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备正式交付碳化硅衬底生产领域头部企业，并投入生产。 据了解，该设备可实现6英寸和8英寸碳化硅晶锭的全自动分片，将极大地提升我国碳化硅芯片...  [详内文]

碳化硅、氮化镓领域新增2起投资

作者 | 发布日期: 2024 年 08 月 21 日 17:51 |
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8月20日，中国台湾新竹科学园公告了第18次园区审议会核准投资案（竹科）详情。其中，环翔科技股份有限公司（下文简称“环翔科技”）、碳矽电子股份有限公司（下文简称“碳矽电子”）增资议案被批通过，二者分在氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC）领域有所布局。 公告显示，环翔科技此次获资金额...  [详内文]

芯碁微装国产碳化硅相关设备出口日本

作者 | 发布日期: 2024 年 08 月 20 日 17:50 |
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8月19日，国内半导体设备厂商芯碁微装宣布，公司旗下MLF系列设备首次出口至日本。 芯碁微装表示，公司MLF系列直写光刻设备专为高精度、高效能的泛半导体封装应用而设计，特别适用于功率半导体，如绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的封装工艺。该设备配备先进的设备前端模块（EFEM），能够...  [详内文]

8英寸碳化硅，如火如荼

作者 | 发布日期: 2024 年 08 月 14 日 15:00 |
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近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圆厂启动。功率半导体大厂英飞凌于8月8日宣布，已正式启动位于马来西亚新晶圆厂的第一阶段，该晶圆厂将成为全球最大、最具竞争力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂，预计2025年开始量产。 碳化硅尺寸越大，单位芯片成本越低，故6英寸向...  [详内文]

日本将新增一条SiC产线

作者 | 发布日期: 2024 年 08 月 05 日 18:10 |
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据日媒报道，8月1日，碳和石墨产品综合制造商东海碳素（Tokai Carbon）拟投资54亿日元（折合人民币约为2.7亿元）在日本神奈川县茅崎市建立一条多晶SiC晶圆专线，并预计将于2024年12月完成建设。 东海炭素开发的用于功率半导体的SiC晶圆，被称为“层压SiC晶圆”。层...  [详内文]

第三代半导体13项标准有新进展

作者 | 发布日期: 2024 年 07 月 31 日 17:20 |
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近日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）官方微信消息，其标准化委员会（CASAS）公布了13项标准新进展，包括2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案、2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见、9项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制。 ...  [详内文]