文章分类: 功率

士兰微:年底SiC芯片产能将翻倍

作者 | 发布日期: 2023 年 08 月 21 日 16:59 |
| 分类: 功率
近日士兰微发布2023半年度业绩报告。2023年上半年,公司营业总收入为44.76亿元,较2022年同期增长6.95%,公司利润总额为-6,066万元,比2022年同期减少108.83%。 其中,上半年集成电路的营业收入为15.76亿元,较上年同期增长16.49%,收入增加的主要...  [详内文]

SiC领域再增一上市公司!首日大涨117%

作者 | 发布日期: 2023 年 08 月 18 日 17:28 |
| 分类: 功率
今(18)日,苏州锴威特半导体股份有限公司(以下简称“锴威特”)成功登陆上交所科创板,发行价格为40.83元/股,截至成文,股价为88.94元/股,总市值达65.53亿元。 同花顺 根据招股说明书,锴威特本次拟登陆上交所科创板,拟公开发行股票数量不超过1,842.1053万股...  [详内文]

突破!4英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功

作者 | 发布日期: 2023 年 08 月 18 日 17:27 |
| 分类: 功率
近日,杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室使用铸造法成功制备了高质量4英寸氧化镓单晶,并完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破。 铸造法是科创中心首席科学家杨德仁院士团队自主研发的、适用于氧化镓单晶生长的...  [详内文]

这家设备厂预计年底推出SiC长晶炉样机

作者 | 发布日期: 2023 年 08 月 17 日 17:35 |
| 分类: 功率
新益昌主要面向半导体、LED、电容器、锂电池等四个行业提供各类智能制造装备。上半年,新益昌实现营收5.39亿元;归母净利润0.44亿元。 近日,新益昌向投资者透露了公司在半导体、MiniLED设备业务最新进展,以及对下半年业务发展的展望。 上半年,由于受宏观经济形势影响,行业景气...  [详内文]

悉智科技完成近亿元融资,华胥基金、建发新兴投资联合领投

作者 | 发布日期: 2023 年 08 月 14 日 17:35 |
| 分类: 功率
近日,车规级功率与电源模块厂商苏州悉智科技有限公司(以下简称“悉智科技”)宣布完成第三轮近亿元战略轮融资。 本轮融资由华胥基金与建发新兴投资联合领投,苏纳微新、丛蓉智芯跟投。 截至目前,悉智科技在正式运营一年半的时间里,已完成三轮总计近两亿元融资。悉智科技产品聚焦在智能电车和清洁...  [详内文]

Crystal IS生产出首款4英寸氮化铝衬底

作者 | 发布日期: 2023 年 08 月 10 日 17:26 |
| 分类: 功率
近日,日本化工企业旭化成(Asahi Kasei)旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布,公司生产出了首款4英寸氮化铝(ALN)衬底,展示了公司生长氮化铝块状单晶工艺的可扩展性,以满足各类应用的生产需求。 Crystal IS 据了解,氮化铝衬底具有低缺陷密度、高紫外...  [详内文]

功率器件双雄,激战SiC

作者 | 发布日期: 2023 年 08 月 10 日 17:25 | | 分类: 功率
SiC,一颗在功率半导体领域中冉冉升起的新星。 如今我们提起它,就离不开特斯拉和意法半导体,第一个吃螃蟹的特斯拉用SiC MOSFET敲开了新世界的大门,而意法的SiC也因为特斯拉Model 3这股东风扶摇直上,超越英飞凌成为了SiC领域里说一不二的新霸主。 特斯拉凭借Model...  [详内文]

九峰山实验室6英寸SiC中试线全面通线

作者 | 发布日期: 2023 年 08 月 10 日 17:22 | | 分类: 功率
近日,九峰山实验室6英寸碳化硅(SiC)中试线全面通线,首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。 实验室开发了低表面粗糙度、高激活率的高温高能离子注入与激活工艺,实现了低沟槽表面粗糙度刻蚀,打通了高厚度一致性及均一性、低界面...  [详内文]

英诺赛科100V GaN再添新品

作者 | 发布日期: 2023 年 08 月 09 日 17:40 |
| 分类: 功率
英诺赛科宣布推出两款 100V 新品氮化镓功率器件,旨在提高电源功率转换效率,降低系统损耗与成本。产品可应用于太阳能光伏逆变、光伏优化器、高频DC-DC转换器及电机驱动等场景。 英诺赛科 此前,英诺赛科已相继发布了 INN100W032A、INN100W027A、INN100W...  [详内文]

投资8.3亿,天科合达徐州二期项目开工

作者 | 发布日期: 2023 年 08 月 09 日 17:30 |
| 分类: 功率
8月8日,天科合达发布消息,为了进一步完善产能布局,抢占市场先机,北京天科合达在徐州经开区开展江苏天科合达二期扩产项目建设,项目投资8.3亿元,占地70亩,建筑面积约5万平方米,购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台(套),可实现年产碳化硅衬底16万片。 项目于2023年8月8...  [详内文]