文章分类： 功率

新洁能推出的SiC MOSFET产品通过验证并可小规模量产

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 15 日 17:45 |
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| 分类: 功率
近日，无锡新洁能股份有限公司（下文简称“新洁能”）在互动平台表示目前已开发完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列产品，新开发650V SiC MOSFET工艺平台，用于新能源汽车OBC、光伏储能、工业及自动化等行业，相关产品已通过客户验证，并实现小规...  [详内文]

最高5000万元资助，深圳大力发展半导体等领域关键材料

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 15 日 10:32 |
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9月13日，深圳市工业和信息化局、深圳市发展和改革委员会、深圳市科技创新委员会，三部门联合印发《深圳市关于推动新材料产业集群高质量发展的若干措施》（以下简称“《若干措施》”），推动新材料产业集群高质量发展。本措施自2023年9月13日起实施，有效期5年。 source：深圳市工...  [详内文]

三菱电机将交付用于5G 基站的GaN功率放大模块样品

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 14 日 17:45 |
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| 分类: 功率
9月13日，三菱机电股份有限公司（下文简称“三菱电机”）宣布，9月21日起，用于5G大规模MIMO（mMIMO）基站的新型GaN功率放大模块样品将大量出货。该GaN功率放大模块在 400 MHz 的宽频率范围内可以提高至少 43% 的功率附加效率，能有效降低5G mMIMO基站的...  [详内文]

河北出台新政，支持第三代半导体等细分行业发展

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 14 日 9:52 |
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| 分类: 功率
近日，河北省人民政府办公厅印发《关于支持第三代半导体等5个细分行业发展若干措施》（以下简称《若干措施》），提出加快第三代半导体、新型显示等细分行业发展。以下是该政策的部分内容： 第三代半导体 支持设计研发验证。对拥有自主知识产权的第三代半导体设计企业，其研发设计的新产品通过用户...  [详内文]

SiC乘着光伏的东风狂飙！

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 13 日 17:48 |
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在新能源产业井喷的大背景下，SiC也跟着炙手可热，SiC上车已经不是趋势而是事实，而在光伏领域，SiC也在加快前进步伐。 光伏发电并网的过程中，为了实现发电系统的稳定、高效运行，对逆变器的要求会变得更严格，传统硅基器件由于材料固有特性限制了其在高温、高压、高效率场景的应用，而Si...  [详内文]

意法半导体为博格华纳提供SiC，助力沃尔沃汽车！

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 13 日 11:40 |
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| 分类: 功率
9月7日，意法半导体官微宣布，将为博格华纳的Viper功率模块提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格华纳将该功率模块用于沃尔沃和未来多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台。 为了充分发挥意法半导体SiC MOSFET 芯片的优势，意法半导体和博格华纳技术团队密切合作，...  [详内文]

纳微计划扩产SiC/GaN

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 11 日 17:30 |
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| 分类: 功率
据外媒报道，纳微半导体正计划在欧洲和美国扩大其氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的生产能力，以减少对台厂的依赖。 据悉，纳微目前的SiC及GaN分别由X-Fab和台积电代工，其中，SiC器件在X-Fab的美国德州（Lubbock, Texas）工厂生产，GaN在台积电的...  [详内文]

三安半导体8英寸SiC首发，即将获得订单？

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 11 日 9:45 |
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2023年9月6日，三安半导体发布消息称，公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。三安半导体表示，展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表...  [详内文]

签约、投产、成果发布，南京三代半产业迎新进展

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 08 日 16:30 |
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9月6日，由南京市人民政府、中国电子科技集团有限公司指导、国家第三代半导体技术创新中心主办的第三代半导体产业创新发展大会在江宁开发区举行。 会上，多个超百亿元产业项目签约，国家第三代半导体技术创新中心（南京）集中发布重大科技攻关成果，同时宣布一期项目竣工投产。 此次集中签约的项目...  [详内文]

日本开发这项新技术，可将SiC晶圆制造成本降低30%

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 08 日 16:26 |
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| 分类: 功率
由于SiC硬度大和易脆裂等特性，晶锭切割成为制约SiC器件制造核心瓶颈。近期，日本Dry Chemicals开发了一种新的工艺，能够将SiC晶圆的制造成本降低20~30%。 该技术的核心是在晶锭上进行开槽，这样可以使得晶圆切片的时候更加平整，从而减少晶圆表面的研磨、抛光等后处理所...  [详内文]