近日,杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室使用铸造法成功制备了高质量4英寸氧化镓单晶,并完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破。
铸造法是科创中心首席科学家杨德仁院士团队自主研发的、适用于氧化镓单晶生长的...  [详内文]
突破!4英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功 |
作者 huang, Mia | 发布日期: 2023 年 08 月 18 日 17:27 | | 分类: 功率 |