文章分类： 功率

中车株洲所SiC碳化硅电驱100万台下线

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 27 日 17:45 |
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12月26日，随着中车株洲所一台新一代电驱产品C-Power 220s在株洲智谷工业园下线，中车新能源乘用车电驱累计量产突破100万台大关。 据悉，C-Power 220s于2021年首次发布，应用了碳化硅（SiC）技术，采用创新的电机和控制系统设计，系统效率最高可达94%，适应...  [详内文]

上海新一代化合物半导体产业基地项目有新进展

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:44 |
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根据中建八局上海公司官微消息，昨（24）日，新一代化合物半导体研制基地项目全面封顶，标志着项目高效、安全地完成了主体结构建设任务。 据介绍，项目位于浦东新区泥城镇，总建筑面积5.79万平方米，是上海市重大工程。项目以打造国内领先、国际一流的红外探测器研制生产基地为目标，建成后将形...  [详内文]

河北印发支持第三代半导体发展若干措施通知

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 22 日 13:45 |
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近日，为推动为贯彻落实全省推动电子信息产业发展座谈会精神,加快第三代半导体发展，河北省人民政府印发《关于支持第三代半导体等5个细分行业发展的若干措施》，相关内容如下： (一)支持设计研发验证 对拥有自主知识产权的第三代半导体设计企业,其研发设计的新产品通过用户验证并产生销售收入,...  [详内文]

意法半导体与理想汽车签署SiC长期供货协议

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 22 日 13:41 |
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12月22日，意法半导体官微宣布，公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议，意法半导体将为理想汽车提供SiC MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。 意法半导体和理想聚焦SiC 作为全球半导体知名厂商和国内新能源汽车龙头企业，意法半导体和...  [详内文]

一汽大湾区研发院揭牌，聚焦SiC功率半导体等方向

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:45 |
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12月18日，中国第一汽车集团有限公司大湾区研发院揭牌仪式在深圳国资国企产业创新中心举行。 据悉，本次揭牌的中国一汽大湾区研发院将聚焦新能源和智能汽车领域前瞻技术、先进材料、功率电子、芯片与车路协同示范五大方向，全力推进全固态激光雷达、平面栅碳化硅（SiC）功率半导体与先进陶瓷材...  [详内文]

总投资约15亿元，汉轩车规级SiC功率器件制造项目开工

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 19 日 13:40 |
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据徐州高新发布消息，汉轩车规级功率器件制造项目开工建设。 汉轩车规级功率器件制造项目总投资约15亿元，占地面积68.8亩，总建筑面积约8万平米，洁净室面积1.4万平米，满足6到8英寸晶圆生产需求，是一座专注于车规级功率器件的晶圆代工厂。 图片来源：拍信网正版图库 该项目规划 V...  [详内文]

总投资近10亿，绍兴新增SiC项目

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 18 日 17:46 |
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近日，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司（以下简称中芯绍兴）公布了“碳化硅（SiC）MOS芯片制造一期项目”环评表。据悉，该项目位于绍兴市越城区，总投资9.61亿元，主要从事6/8英寸SiC MOS芯片制造。 具体来看，该项目实施主体为中芯绍兴控股子公司中芯越州集成电路制造（绍兴）...  [详内文]

湖北将建设全国化合物半导体研发生产基地

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 18 日 16:34 |
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近日，湖北省人民政府印发《湖北省新材料产业高质量发展三年行动方案（2023—2025年）》（以下简称“《行动方案》”）。 《行动方案》提出发展目标，到2025年，湖北全省新材料重点企业产值超6000亿元，其中产值过1000亿元企业超过1家、过500亿元企业超过2家、过100亿元企...  [详内文]

SiC开启800V新时代，政企双端发力

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 15 日 20:36 |
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12月14日，全球领先的车用技术企业采埃孚，宣布其电机产量已突破300万台大关。 采埃孚称，电机量产超过300万台显示出市场对纯燃油发动机的依赖不断减少，标志着整个行业朝着电动化出行的成功转型。 值得一提的是，采埃孚此前推出采用碳化硅（SiC）技术的EVSys800电驱动系统，展...  [详内文]

易达通GaN功率元件能源转换效率已超92%

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 12 日 17:45 |
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| 分类: 功率
近日据报道，IDM创企易达通科技已推出多款氮化镓（GaN）功率IC，采用蓝宝石衬底及LED制程，获得全球三大LED集团青睐，其中2家已下单。执行长林仕国表示，GaN具有宽能隙、高电压驱动及耐高温特性，搭载蓝宝石衬底可制造各种功率元件，采用碳化硅（SiC）衬底则可制造射频元件。 据...  [详内文]