文章分类： 功率

南方科技大学团队在GaN放大功率器件中获得进展

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 26 日 17:45 |
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9月25日，南方科技大学深港微电子学院官方公众号发文称，深港微电子学院助理教授方小虎团队在GaN MMIC高效率C波段F类功率放大器和高效率宽带毫米波功率放大器研究领域中取得进展。 高效率C波段F类功率放大器 C波段(4-8 GHz)射频功率放大器是远距离无线能量传输、合成孔径雷...  [详内文]

车用GaN需求攀升，国产企业有望抢占先机

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 26 日 17:45 |
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1. 在材料特性的支持下，车用GaN元件的竞争优势将日益显著 凭借优异的材料特性，SiC元件正加速导入汽车、再生能源、电源PFC等领域，而GaN元件亦在终端设备的快速充电领域大放异彩；此外，在汽车、网络通讯领域，GaN元件的能见度也越来越高。 在电动车搭载的牵引逆变器、车载充电器...  [详内文]

SiC和GaN，这个问题不容忽视

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 26 日 10:13 |
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| 分类: 功率
在谈到SiC和GaN这些炙手可热的宽禁带材料的时候，大家首先想到是其领先的特性，这让它们在不少市场能寻找到一席之地。来到技术层面，读者们可能对其衬底、外延、制造工艺、晶圆尺寸甚至制造设备等都有广泛的关注。 其实，对于GaN和SiC，还有一个少被提及，但又非常重要的一环，那就是测试...  [详内文]

国星光电联合佛照电工推出33W氮化镓墙插快充新品

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 22 日 16:45 |
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9月20日，国星光电联合佛山照明智达电工科技有限公司（以下简称“佛照电工”）开发的基于第三代半导体氮化镓应用墙插快充产品正式面世。 据介绍，国星光电与佛照电工联合推出的86面板墙插产品，采用了国星光电33W氮化镓技术，该技术主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的氮化镓墙插...  [详内文]

SiC和GaN双管齐下，中瓷电子在化合物半导体赛道开始发力

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 21 日 14:57 |
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9月19日，中瓷电子在互动平台表示，子公司北京国联万众半导体科技有限公司（下文简称“国联万众”）第三代半导体芯片生产线已基本建成，目前产线场地及主要设备已基本具备月产2000片SiC晶圆的能力，产能正在逐步达产中。 国联万众主要从事氮化镓射频芯片和碳化硅功率模块的设计、测 试、销...  [详内文]

芯投微电子滤波器研发生产总部项目封顶，计划2024年通线投产

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
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9月16日，芯投微电子滤波器研发生产总部项目封顶仪式举行，此次FAB厂房封顶意味着项目建设取得了阶段性成果。 据官微介绍，芯投微电子滤波器研发生产总部项目位于安徽省合肥市高新技术产业开发区，于2022年12月正式开工建设，计划2024年通线投产。项目建成初期将聚焦射频滤波器设计、...  [详内文]

浙江南浔发布泛半导体产业规划，力争2025年产业规模突破50亿

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 18 日 17:45 |
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新民晚报消息，9月16日，浙江湖州市南浔区发布《湖州市南浔区泛半导体新材料产业发展规划》，长三角泛半导体新材料产业园揭牌成立。 根据《湖州市南浔区泛半导体新材料产业发展规划》，南浔将积极导入长三角核心城市关键资源，重点布局半导体涉化材料、封测产业、新型显示、面向上海的芯片设计服务...  [详内文]

新洁能推出的SiC MOSFET产品通过验证并可小规模量产

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 15 日 17:45 |
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近日，无锡新洁能股份有限公司（下文简称“新洁能”）在互动平台表示目前已开发完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列产品，新开发650V SiC MOSFET工艺平台，用于新能源汽车OBC、光伏储能、工业及自动化等行业，相关产品已通过客户验证，并实现小规...  [详内文]

最高5000万元资助，深圳大力发展半导体等领域关键材料

作者 | 发布日期: 2023 年 09 月 15 日 10:32 |
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| 分类: 功率
9月13日，深圳市工业和信息化局、深圳市发展和改革委员会、深圳市科技创新委员会，三部门联合印发《深圳市关于推动新材料产业集群高质量发展的若干措施》（以下简称“《若干措施》”），推动新材料产业集群高质量发展。本措施自2023年9月13日起实施，有效期5年。 source：深圳市工...  [详内文]