文章分类： 功率

罗姆宣布明年在日本生产8英寸SiC衬底

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 07 日 17:28 |
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罗姆半导体（Rohm）株式会社社长松本功近日在2023年11月财报电话会议上宣布，将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸SiC衬底，主要供该公司内部使用，预计将于2024年开始投产。这将是罗姆首次在日本生产SiC衬底。 据悉，宫崎第二工厂规划项目是罗姆近几年产能扩张计划的一部分...  [详内文]

总投资21亿，晶盛机电SiC衬底片项目正式签约启动

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 06 日 13:42 |
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11月4日，晶盛机电“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”正式签约启动，此举旨在攻关半导体材料端关键核心技术，最终实现国产替代。 据悉，此次签约项目总投资达21.2亿元。启动仪式上，晶盛机电董事长曹建伟博士表示，本次项目启动，是晶盛机电创新增长的重要方向。 资料显示...  [详内文]

日立功率半导体被收购

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 03 日 14:21 |
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| 分类: 功率
11月2日，株式会社日立制作所（以下简称日立）宣布与美蓓亚三美株式会社（以下简称美蓓亚三美）签订合同，日立决定将其全资子公司株式会社日立功率半导体（以下简称日立功率半导体）的全部股份转让给美蓓亚三美。 日立功率半导体股权转让 据悉，日立此次股权转让涉及股份数量为45万股。目前，股...  [详内文]

智新半导体首批自主碳化硅功率模块下线

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:35 |
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近日，智新半导体二期产线顺利下线首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块，该批产品已完成自主封装、测试以及应用老化试验。 据悉，智新半导体碳化硅模块项目于2021年进行前期先行开发，去年12月正式立项为量产项目。该项目以智新半导体封装技术为引领，实现了从模块设计、封装测试、电控应用到整...  [详内文]

中电化合物完成交付首批8吋SiC外延片产品

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:34 |
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10月31日，中电化合物半导体有限公司（CECS）宣布成功向客户交付首批次8吋SiC外延片产品，这标志着中电化合物的外延产品迈上新台阶，可为行业提供更加先进的技术支持，从而推动碳化硅行业加速发展。 据中电化合物介绍，相比6吋，8吋SiC外延片面积增加78%，能够较大幅度降低碳化硅...  [详内文]

Power Integrations推出史上最高电压GaN开关IC

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 01 日 18:11 |
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Power Integrations（PI） 近日发布了据称是世界上最高电压的单开关GaN电源 IC，采用1250V PowiGaN开关。 InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。据悉，它具有同...  [详内文]

新微半导体推出新型GaAs pHEMT工艺平台

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:40 |
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上海新微半导体有限公司（下文简称“新微半导体”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化镓（GaAs）晶圆材料的增强/耗尽型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工艺平台(简称“PTA25工艺平台”)开发完成。 该平台凭借高电子迁移率、高增益、高功率和超低...  [详内文]

基本半导体推出新SiC MOSFET产品

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:36 |
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在10月26-27日举办的2023基本创新日活动上，基本半导体正式发布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅MOSFET功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片等系列新品。 据介绍，基本半导体第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品...  [详内文]

东尼电子8英寸SiC衬底获小批量订单

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:33 |
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东尼电子于昨日（10/26）在互动平台表示，公司8英寸SiC衬底处于研发验证阶段，已有小批量订单，将持续推进验证量产进程。 今年1月，东尼半导体与下游客户T签订了三年交付近百万片6英寸SiC衬底的《采购合同》。按照该协议，今年东尼半导体将向该客户交付6英寸SiC衬底13.50万片...  [详内文]

8英寸时代：国产SiC衬底如何升级？

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:30 |
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| 分类: 功率
当下，新能源汽车、5G通讯、光伏、储能等下游领域迸射出的强烈需求，正驱动着碳化硅（SiC）产业在高速发展，与此同时多方纷纷加强研发力度，旨在突破技术壁垒，抢占市场先机。 其中，作为碳化硅突破瓶颈的重要工艺节点，8英寸SiC衬底成为各方抢攻的黄金赛道。 下一个拐点尺寸：8英寸SiC...  [详内文]