文章分类： 功率

第三代半导体项目遍地开花

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 04 日 16:37 |
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| 分类: 功率
近日，多个第三代半导体项目迎来最新进展。其中，重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。 总投资32.7亿元，重投天科第三代半导体项目在深圳宝安启用 据滨海宝安消息，2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用，其由深圳市重投天科半导体...  [详内文]

SiC龙头英飞凌重组自身业务

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 29 日 18:48 |
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2月28日，英飞凌表示，目前公司正在进一步加强和精简其销售组织。英飞凌宣布，从3月1日起，公司的销售团队将围绕“汽车”、“工业与基础设施”以及“消费者、计算与通信”这三个以客户为中心的销售领域进行组建。 source：拍信网 其中，分销商和电子制造服务管理（DEM）销售组织将继...  [详内文]

EPC宣布推出首款具有1mΩ导通电阻的GaN FET

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 29 日 16:42 |
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| 分类: 功率
2月27日，EPC推出采用紧凑型3 mm x 5 mm QFN封装的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，为DC-DC转换、快速充电、电机驱动和太阳能MPPT提供更高的功率密度。 EPC称，这是市场上导通电阻最低的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，功率密度...  [详内文]

晶圆级立方SiC单晶生长取得突破

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 22 日 17:51 |
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| 分类: 功率
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3...  [详内文]

GaN开启了“无限复制”时代！

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 21 日 17:55 |
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| 分类: 功率
2月21日，光州科学技术院（GIST，校长Kichul Lim）宣布，学校电气工程与计算机科学学院的Dong-Seon Lee教授的研究团队已经开发出了仅采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）的氮化镓（GaN）半导体远程同质外延技术。 外延技术，即在半导体制造中将半导体材料生长成...  [详内文]

SiC营收增长93%，X-FAB全球晶圆厂将扩张

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 20 日 14:42 |
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| 分类: 功率
近日，世界SiC晶圆代工龙头X-FAB公布了其第四季度以及全年营收。 X-FAB的汽车、工业和医疗核心业务增长了31%，占总收入的91%，并且在过去五年中每年增长22%。 2024年第一季度的收入预计将在2.15亿美元至2.25亿美元（折合人民币约15.5亿元至16.2亿元）之间...  [详内文]

英飞凌、京瓷GaN/SiC新动作

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 19 日 11:48 |
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| 分类: 功率
年关将至，国内企业准备迎接新年，而国外企业的合作动作却不曾停下。 Worksport便携式电源产品采用英飞凌GaN器件 英飞凌宣布与Worksport合作，后者将在其便携式发电站的转换器中使用GaN功率半导体。 该公司的COR电池系统可以集成到皮卡车中，也可以通过任何太阳能电池板...  [详内文]

SiC营收增长4倍！安森美公布2023年全年业绩

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 06 日 17:54 |
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| 分类: 功率
2月5日，安森美在官网公布了2023年第四季度和全年业绩。 报告显示，安森美2023年第四季度营收为20.181亿美元，符合公司此前19.5亿美元-20.5亿美元的预期，上季度营收为21.808亿美元。 安森美2023年全年营收为82.53亿美元，去年营收为83.263亿美元；...  [详内文]

昕感科技6-8吋功率半导体厂房项目全面封顶

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 31 日 17:19 |
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| 分类: 功率
1月30日，昕感科技6-8吋功率半导体制造项目封顶活动在江苏江阴高新区隆重举行。该项目自2023年8月8日启动以来，历时174天，总计投资超10亿元。至此，昕感科技成为国内极少数能够兼容6-8吋晶圆特色工艺生产的厂商，将全面助力国产功率半导体的发展。 source：昕感科技 昕...  [详内文]

首个1700V GaN HEMT器件发布

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 24 日 17:17 |
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| 分类: 功率
近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs...  [详内文]