文章分类： 功率

一汽大湾区研发院揭牌，聚焦SiC功率半导体等方向

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:45 |
关键字: ,
| 分类: 功率
12月18日，中国第一汽车集团有限公司大湾区研发院揭牌仪式在深圳国资国企产业创新中心举行。 据悉，本次揭牌的中国一汽大湾区研发院将聚焦新能源和智能汽车领域前瞻技术、先进材料、功率电子、芯片与车路协同示范五大方向，全力推进全固态激光雷达、平面栅碳化硅（SiC）功率半导体与先进陶瓷材...  [详内文]

总投资约15亿元，汉轩车规级SiC功率器件制造项目开工

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 19 日 13:40 |
关键字: ,
| 分类: 功率
据徐州高新发布消息，汉轩车规级功率器件制造项目开工建设。 汉轩车规级功率器件制造项目总投资约15亿元，占地面积68.8亩，总建筑面积约8万平米，洁净室面积1.4万平米，满足6到8英寸晶圆生产需求，是一座专注于车规级功率器件的晶圆代工厂。 图片来源：拍信网正版图库 该项目规划 V...  [详内文]

总投资近10亿，绍兴新增SiC项目

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 18 日 17:46 |
关键字:
| 分类: 功率
近日，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司（以下简称中芯绍兴）公布了“碳化硅（SiC）MOS芯片制造一期项目”环评表。据悉，该项目位于绍兴市越城区，总投资9.61亿元，主要从事6/8英寸SiC MOS芯片制造。 具体来看，该项目实施主体为中芯绍兴控股子公司中芯越州集成电路制造（绍兴）...  [详内文]

湖北将建设全国化合物半导体研发生产基地

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 18 日 16:34 |
关键字:
| 分类: 功率
近日，湖北省人民政府印发《湖北省新材料产业高质量发展三年行动方案（2023—2025年）》（以下简称“《行动方案》”）。 《行动方案》提出发展目标，到2025年，湖北全省新材料重点企业产值超6000亿元，其中产值过1000亿元企业超过1家、过500亿元企业超过2家、过100亿元企...  [详内文]

SiC开启800V新时代，政企双端发力

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 15 日 20:36 |
关键字:
| 分类: 功率
12月14日，全球领先的车用技术企业采埃孚，宣布其电机产量已突破300万台大关。 采埃孚称，电机量产超过300万台显示出市场对纯燃油发动机的依赖不断减少，标志着整个行业朝着电动化出行的成功转型。 值得一提的是，采埃孚此前推出采用碳化硅（SiC）技术的EVSys800电驱动系统，展...  [详内文]

易达通GaN功率元件能源转换效率已超92%

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 12 日 17:45 |
关键字: ,
| 分类: 功率
近日据报道，IDM创企易达通科技已推出多款氮化镓（GaN）功率IC，采用蓝宝石衬底及LED制程，获得全球三大LED集团青睐，其中2家已下单。执行长林仕国表示，GaN具有宽能隙、高电压驱动及耐高温特性，搭载蓝宝石衬底可制造各种功率元件，采用碳化硅（SiC）衬底则可制造射频元件。 据...  [详内文]

中科重仪自研功率型GaN-on-Si生产线投产

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 11 日 17:41 |
关键字: ,
| 分类: 功率
近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称中科重仪）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片生产线正式建成并投入使用。 据介绍，目前GaN材料外延生长的主流方法是金属有机化学气相沉积法（MOCVD），由于针对功率型大尺寸GaN-on-Si材料...  [详内文]

193亿，罗姆和东芝携手生产SiC功率器件

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 08 日 17:27 |
关键字: ,
| 分类: 功率
12月7日，根据外国媒体报道，为巩固自身在电动汽车零部件领域的地位，罗姆（ROHM）和东芝宣布将合作生产碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半导体器件，这一计划得到了日本政府的支持。 ROHM和东芝将分别对SiC和Si功率器件进行密集投资，两者将依据对方生产力优势进行互补，有效提高供...  [详内文]

芯塔电子SiC MOSFET通过车规级认证

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 06 日 17:45 |
关键字: ,
| 分类: 功率
近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩ TO-263-7封装?SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。 据介绍，AEC-Q作为国际通用的车规级电子元器件测试规范，目前已成为车用元器件质量与可靠性的标志。试验项目包含...  [详内文]

中汽创智首批自主研发SiC MOSFET正式下线

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 04 日 17:34 |
关键字: ,
| 分类: 功率
11月30日，中汽创智首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET在积塔工厂正式下线。本款芯片采用平面栅型结构，自主设计的新型终端结构具有更高的工艺可靠性，在同等耐压水平下，体积更小，可应用于新能源汽车主驱逆变器等车载电源系统。 作为一家由中国一汽、东风公司、南方工业...  [详内文]